简介
本书共7章，介绍了锁相环与频率合成器电路的分析方法、电路结构、
工作原理等相关知识，以及采用锁相环与频率合成器集成电路构成的锁相
环(PLL)、压控振荡器(VCO)、前置分频器、直接数字频率合成器(DDS)和时
钟发生器电路实例的主要技术性能、引脚端封装形式、内部结构、工作原
理、电原理图、印制电路板图和元器件参数等内容，频率范围从零至几吉
赫兹，其电原理图、印制电路板图和元器件参数等可以直接在工程设计中
应用。
本书突出了“先进性、工程性、实用性”的特点，可以作为从事无线
通信、移动通信、无线数据采集与传输系统、无线遥控和遥测系统、无线
网络、无线安全防范系统等应用研究的工程技术人员的参考书或工具书，
也可以作为高等院校通信、电子等相关专业本科生和研究生的专业教材或
教学参考书。
目录
目录
第1章 锁相环与频率合成器电路基础
1.1 频率合成的基本方法和指标
1.1.1 频率合成的基本方法
1.1.2 频率合成器的主要技术指标
1.2 锁相环路(PLL)电路基础
1.2.1 锁相环路的基本结构与工作原理
1.2.2 数字锁相式频率合成器的基本结构与工作原理
1.2.3 全数字锁相环的基本结构与工作原理
1.3 直接数字式频率合成器(DDS)基础
1.3.1 DDS的结构与工作原理
1.3.2 DDS的技术特点
1.3.3 DDS的输出信号频谱特性
1.3.4 DDS的调制特性
1.4 频率合成器电路结构
1.4.1 单环数字锁相式频率合成器电路
1.4.2 前置分频型单环数字锁相式频率合成器电路
1.4.3 下变频型单环数字锁相式频率合成器电路
1.4.4 变模前置分频型数字锁相式频率合成器电路
1.4.5 小数分频型数字锁相式频率合成器电路
1.4.6 多环数字锁相式频率合成器电路
1.4.7 环外插入混频器的DDS+PLL频率合成器电路
1.4.8 环内插入混频器的DDS+PLL频率合成器电路
1.4.9 DDS激励PLL的频率合成器电路
第2章 正弦波振荡器电路基础
2.1 反馈型正弦波振荡器的基本原理
2.1.1 反馈型正弦波振荡器的组成
2.1.2 自激振荡的平衡条件
2.1.3 自激振荡的起振条件
2.1.4 振荡器的稳定条件
2.2 LC振荡器
2.2.1 三点式振荡器电路的基本结构
2.2.2 改进的电容三点式振荡器电路
2.2.3 几种三点式振荡器电路的比较
2.3 石英晶体振荡器电路
2.3.1 石英晶体谐振器
2.3.2 石英晶体振荡器基本电路结构
2.3.3 普通晶体振荡器
2.3.4 温度补偿晶体振荡器
2.3.5 恒温晶体振荡器
2.4 压控振荡器电路
2.4.1 压控振荡器的主要技术指标
2.4.2 变容二极管压控振荡器
2.4.3 射极耦合多谐振荡器构成的VCO
2.4.4 环形振荡器结构的VCO
2.5 振荡器频率和振幅的稳定
2.5.1 振荡器频率的稳定
2.5.2 振荡器振幅的稳定
2.6 寄生振荡
2.6.1 寄生振荡的表现形式
2.6.2 寄生振荡的产生原因及其防止或消除方法
第3章 PLL频率合成器电路设计
3.1 ADF4106 500～600 MHz PLL频率合成器电路
3.1.1 ADF4106的主要技术特性
3.1.2 ADF4106的芯片封装与引脚功能
3.1.3 ADF4106的内部结构与工作原理
3.1.4 ADF4106的应用电路设计
3.2 ADF4110～4113 0.55～4.0 GHz PLL频率合成器电路
3.2.1 ADF4110～4113的主要技术特性
3.2.2 ADF4110～4113芯片封装和引脚功能
3.2.3 ADF4110～4113内部结构和工作原理
3.2.4 ADF4110～4113应用电路设计
3.3 ADF4116～4118 0.55～3.0 GHz PLL频率合成器电路
3.3.1 ADF4116～4118主要技术特性
3.3.2 ADF4116～4118芯片封装和引脚功能
3.3.3 ADF4116～4118内部结构和工作原理
3.3.4 ADF4116～4118应用电路设计
3.4 ADF4153 4 GHz PLL频率合成器电路
3.4.1 ADF4153主要性能指标
3.4.2 ADF4153引脚功能与内部结构
3.4.3 ADF4153应用电路设计
3.5 ADF4154 500 MHz～4 GHz PLL频率合成器电路
3.5.1 ADF4154主要性能指标
3.5.2 ADF4154引脚功能与内部结构
3.5.3 ADF4154应用电路设计
3.6 ADF4193 3.5 GHz PLL频率合成器电路
3.6.1 ADF4193主要技术特性
3.6.2 ADF4193芯片封装和引脚功能
3.6.3 ADF4193内部结构和工作原理
3.6.4 ADF4193应用电路设计
3.7 ADF4212L双频2.4 GHz/1.0 GHz PLL频率合成器电路
3.7.1 ADF4212L主要技术特性
3.7.2 ADF4212L芯片封装和引脚功能
3.7.3 ADF4212L内部结构和工作原理
3.7.4 ADF4212L应用电路设计
3.8 ADF4217L～4219L双频PLL频率合成器电路
3.8.1 ADF4217L/ADF4218L/ADF4219L主要技术特性
3.8.2 ADF4217L/ADF4218L/ADF4219L芯片封装和引脚功能
3.8.3 ADF4217L/ADF4218L/ADF4219L内部结构和工作原理
3.8.4 ADF4217L/ADF4218L/ADF4219L应用电路设计
3.9 CX7925 300 MHz/350 MHz锁相环频率合成器电路
3.9.1 CX7925主要技术特性
3.9.2 CX7925封装形式与引脚功能
3.9.3 CX7925内部结构与工作原理
3.9.4 CX7925应用电路设计
3.10 CXA3106AQ LCD监视器/放映机用PLL电路
3.10.1 CXA3106AQ主要技术特性
3.10.2 CXA3106AQ封装形式与引脚功能
3.10.3 CXA3106AQ内部结构与工作原理
3.10.4 CXA3106AQ应用电路设计
3.11 CXA3266Q LCD监视器/放映机用PLL电路
3.11.1 CXA3266Q主要技术特性
3.11.2 CXA3266Q封装形式与引脚功能
3.11.3 CXA3266Q内部结构与工作原理
3.11.4 CXA3266Q应用电路设计
3.12 FS8108E 40～100 MHz PLL频率合成器电路
3.12.1 FS8108E的主要技术特性
3.12.2 FS8108E的封装形式与引脚功能
3.12.3 FS8108E的内部结构与工作原理
3.12.4 FS8108E的应用电路设计
3.13 HPLL-8001 4～160 MHz PLL频率合成器电路
3.13.1 HPLL-8001的主要技术特性
3.13.2 HPLL-8001的芯片封装与引脚功能
3.13.3 HPLL-8001的内部结构与工作原理
3.13.4 HPLL-8001的应用电路设计
3.14 LMX2306U/LMX2316U/LMX2326U 550 MHz/1.2 GHz/2.8 GHz频率合成器电路
3.14.1 LMX2306U/LMX2316U/LMX2326U主要技术特性
3.14.2 LMX2306/16/26芯片封装和引脚功能
3.14.3 LMX2306/16/26的内部结构和工作原理
3.14.4 LMX2306的应用电路设计
3.15 LMX2310/1/2/3U 2.5 GHz/2.0 GHz/1.2 GHz/600 MHz频率合成器电路
3.15.1 LMX2310/1/2/3U主要技术特性
3.15.2 LMX2310/1/2/3U芯片封装和引脚功能
3.15.3 LMX2310/1/2/3U的内部结构和工作原理
3.15.4 LMX2310/1/2/3U的应用电路设计
3.16 LMX233xU 2.5 GHz/600 MHz,2.0 GHz/600 MHz,1.2 GHz/600 MHz双频频率合成器电路
3.16.1 LMX233xU主要技术特性
3.16.2 LMX233xU芯片封装和引脚功能
3.16.3 LMX233xU的内部结构和工作原理
3.16.4 LMX233xU的应用电路设计
3.17 LMX2346/LMX2347 0.2～2.5 GHz PLL电路
3.17.1 LMX2346/LMX2347的主要技术特性
3.17.2 LMX2346/LMX2347的封装形式与引脚功能
3.17.3 LMX2346/LMX2347的内部结构与工作原理
3.17.4 LMX2346/LMX2347的应用电路设计
3.18 LMX2350/LMX2352小数N分频RF/整数N分频IF的双频频率合成器电路
3.18.1 LMX2350/LMX2352主要技术特性
3.18.2 LMX2350/LMX2352封装形式和引脚功能
3.18.3 LMX2350/LMX2352的内部结构和工作原理
3.18.4 LMX2350/LMX2352的应用电路设计
3.19 LMX243x 3.0/0.8 GHz,3.6/1.7 GHz,5.0/2.5 GHz双频频率合成器电路
3.19.1 LMX243x主要技术特性
3.19.2 LMX243x引脚封装、引脚功能与内部结构
3.19.3 LMX243x的应用电路设计
3.20 LMX2502/LMX2512带有集成压控振荡器的频率合成器电路
3.20.1 LMX2502/LMX2512主要技术特性
3.20.2 LMX2502/LMX2512芯片封装和引脚功能
3.20.3 LMX2502/LMX2512的内部结构和工作原理
3.20.4 LMX2502/LMX2512应用电路设计
3.21 LMX2525带有集成压控振荡器的双频频率合成器电路
3.21.1 LMX2525主要技术特性
3.21.2 LMX2525封装形式与引脚功能
3.21.3 LMX2525的内部结构和工作原理
3.21.4 LMX2525的应用电路设计
3.22 LMX2542带有VCO的蜂窝电话和GPS的频率合成器电路
3.22.1 LMX2542主要技术特性
3.22.2 LMX2542的芯片封装及引脚功能
3.22.3 LMX2542的内部结构及工作原理
3.22.4 LMX2542的应用电路设计
3.23 MB1504申行输入PLL频率合成器电路
3.23.1 MB1504封装形式与引脚功能
3.23.2 MB1504内部结构与工作原理
3.23.3 MB1504应用电路设计
3.24 MC145106 4～12 MHz PLL频率合成器电路
3.24.1 MC145106主要技术特点
3.24.2 MC145106封装形式与引脚功能
3.24.3 MC145106的内部结构和工作原理
3.24.4 MC145106的应用电路设计
3.25 MC145170-2使用串行接口的PLL频率合成器电路
3.25.1 MC145170-2主要技术特性
3.25.2 MC145170-2的芯片封装和引脚功能
3.25.3 MC145170-2芯片内部结构和工作原理
3.25.4 MC145170-2的应用电路设计
3.26 PE3291 1200 MHz/550 MHz双频PLL频率合成器电路
3.26.1 PE3291主要技术特性
3.26.2 PE3291的封装形式与引脚功能
3.26.3 PE3291的内部结构及工作原理
3.26.4 PE3291的应用电路设计
3.27 PE3342 0.3～2.7 GHz带EEPROM的PLL电路
3.27.1 PE3342主要技术特性
3.27.2 PE3342的芯片封装与引脚功能
3.27.3 PE3342的内部结构与工作原理
3.27.4 PE3342的应用电路设计
3.28 PMB2347 2.8 GHz/500 MHz双频PLL频率合成器电路
3.28.1 PMB2347主要技术特性
3.28.2 PMB2347的封装形式与引脚功能
3.28.3 PMB2347的内部结构和工作原理
3.28.4 PMB2347应用电路设计
3.29 SA8026 350～2500 MHz PLL频率合成器电路
3.29.1 SA8026的主要技术特性
3.29.2 SA8026封装形式与引脚功能
3.29.3 SA8026内部结构与工作原理
3.29.4 SA8026的应用电路设计
3.30 SA8027 0.5～2.5 GHz小数N分频频率合成器电路
3.30.1 SA8027主要技术特性
3.30.2 SA8027引脚功能与内部结构
3.30.3 SA8027应用电路设计
3.31 SP5748 80 MHz～2.4 GHz PLL频率合成器电路
3.31.1 SP5748的主要技术性能与特点
3.31.2 SP5748封装形式与引脚功能
3.31.3 SP5748内部结构与工作原理
3.31.4 SP5748的应用电路设计
3.32 SP5769 3 GHz I2C总线频率合成器电路
3.32.1 SP5769的主要技术特性
3.32.2 SP5769芯片封装与引脚功能
3.32.3 SP5769内部结构与工作原理
3.32.4 SP5769的应用电路设计
3.33 SP8853A/B 1.3 GHz PLL频率合成器电路
3.33.1 SP8853A/B的主要技术特性
3.33.2 SP8853A/B芯片封装与引脚功能
3.33.3 SP8853A/B内部结构与工作原理
3.33.4 SP8853A/B的应用电路设计
3.34 SP8854E 2.7 GHz PLL频率合成器电路
3.34.1 SP8854E的主要技术性能与特点
3.34.2 SP8854E芯片封装与引脚功能
3.34.3 SP8854E内部结构与工作原理
3.34.4 SP8854E的应用电路设计
3.35 STW81100 0.82～4.4 GHz多频带PLL频率合成器电路
3.35.1 STW81100主要技术特性
3.35.2 STW81100的芯片封装与引脚功能
3.35.3 STW81100内部结构与工作原理
3.35.4 STW81100的应用电路设计
3.36 STW81101 0.82～4.4 GHz多频带PLL频率合成器电路
3.36.1 STW81101主要技术特性
3.36.2 STW81101的芯片封装与引脚功能
3.36.3 STW81101内部结构与工作原理
3.36.4 STW81101的应用电路设计
3.37 STW81102 0.75～4.6 GHz多频带频率合成器电路
3.37.1 STW81102主要技术特性
3.37.2 STW81102引脚功能、内部结构与工作原理
3.37.3 STW81102的应用电路设计
3.38 TRF1112/TRF1212用于IF下变频器的双VCO/PLL合成器电路
3.38.1 TRF1112/TRF1212主要技术特性
3.38.2 TRF1112/TRF1212引脚功能与内部结构
3.38.3 TRF1112/TRF1212应用电路设计
3.39 TRF1121/TRF1221用于IF上变频器的双VCO/PLL合成器电路
3.39.1 TRF1121/TRF1221主要技术特性
3.39.2 TRF1121/TRF1221引脚功能与内部结构
3.39.3 TRF1121/TRF1221应用电路设计
3.40 U2786B 800～1000 MHz PLL频率合成器电路
3.40.1 U2786B的主要技术特性
3.40.2 U2786B封装形式与引脚功能
3.40.3 U2786B内部结构与工作原理
3.40.4 U2786B的应用电路设计
3.41 UMA1014 50～1100 MHz低功耗PLL频率合成器电路
3.41.1 UMA1014的主要技术特性
3.41.2 UMA1014封装形式与引脚功能
3.41.3 UMA1014内部结构与工作原理
3.41.4 UMA1014的应用电路设计
第4章 压控振荡器(VCO)电路设计
4.1 ISL3183 748 MHz VCO电路
4.1.1 ISL3183的主要技术特性
4.1.2 ISL3183引脚功能与内部结构
4.1.3 ISL3183应用电路设计
4.2 MAX2605～MAX2609 45～650 MHz差分输出IF压控振荡器电路
4.2.1 MAX2605～MAX2609主要技术特性
4.2.2 MAX2605～MAX2609引脚功能与内部结构
4.2.3 MAX2605～MAX2609系列芯片应用电路设计
4.3 MAX2620 10～1050 MHz RF振荡器电路
4.3.1 MAX2620主要技术特性
4.3.2 MAX2620引脚功能与内部结构
4.4 MAX2622/MAX2623/MAX2624 855～998 MHz VCO电路
4.4.1 MAX2622/MAX2623/MAX2624主要技术性能
4.4.2 MAX2622/MAX2623/MAX2624芯片封装与引脚功能
4.4.3 MAX2622/MAX2623/MAX2624应用电路设计
4.5 MAX2750/MAX2751/MAX2752 2.4 GHz VCO电路
4.5.1 MAX2750/MAX2751/MAX2752主要技术性特性
4.5.2 MAX2750/MAX2751/MAX2752封装形式与引脚功能
4.5.3 MAX2750/MAX2751/MAX2752芯片应用电路设计
4.6 MAX2753 2.4 GHz VCO电路
4.6.1 MAX2753的主要技术特性
4.6.2 MAX2753封装形式与引脚功能
4.6.3 MAX2753的应用电路设计
4.7 MAX2754 1.2 GHz VCO电路
4.7.1 MAX2754的主要技术特性
4.7.2 MAX2754引脚功能与内部结构
4.7.3 MAX2754的应用电路设计
4.8 MC1648 225 MHz VCO电路
4.8.1 MC1648主要技术特性
4.8.2 MC1648引脚功能与内部结构
4.8.3 MC1648的应用电路设计
4.9 MC12148 1100 MHz低功耗VCO电路
4.9.1 MC12148芯片主要技术性能
4.9.2 MC12148引脚功能与内部结构
4.9.3 MC12148芯片应用电路设计
4.10 Si550 10 MHz～1.4 GHz VCXO电路
4.10.1 Si550主要技术特性
4.10.2 Si550引脚功能与内部结构
4.10.3 Si550应用电路设计
4.11 VTO-8000系列600 MHz～10.85 GHz VCO电路
4.11.1 VTO-8000系列VCO主要技术特性
4.11.2 VTO-8000系列VCO的封装形式与引脚功能
4.11.3 VTO-8000系列VCO的内部结构
4.11.4 VTO-8000系列VCO的应用电路设计
4.12 VTO-9000系列320 MHz～2.3 GHz VCO电路
4.12.1 VTO-9000系列VCO主要技术特性
4.12.2 VTO-9000系列VCO引脚功能与内部结构
4.12.3 VTO-9000系列VCO应用电路设计
4.13 Si530/531 10 MHz～1.4 GHz晶体振荡器
4.13.1 Si530/531主要技术特性
4.13.2 Si530/531引脚功能与内部结构
4.13.3 Si530/531的应用电路设计
4.14 MAX2472/MAX2473 0.5～2.5 GHz VCO缓冲放大器电路
4.14.1 MAX2472/MAX2473主要技术特性
4.14.2 MAX2472/MAX2473封装形式与引脚结构
4.14.3 MAX2472/MAX2473内部结构
4.14.4 MAX2472/MAX2473应用电路设计
4.15 MAX2470/MAX2471 10～500 MHz VCO输出缓冲电路
4.15.1 MAX2470/MAX2471的主要技术特性
4.15.2 MAX2470/MAX2471引脚功能与内部结构
4.15.3 MAX2470/MAX2471的应用电路设计
4.16 MAX9987/MAX9988 LO缓冲器/功率分配器电路
4.16.1 MAX9987/MAX9988主要技术特性
4.16.2 MAX9987/MAX9988引脚功能与内部结构
4.16.3 MAX9987/MAX9988应用电路设计
4.17 MAX9989/MAX9990 LO缓冲器/功率分配器电路
4.17.1 MAX9989/MAX9990主要技术特性
4.17.2 MAX9989/MAX9990引脚功能与内部结构
4.17.3 MAX9989/MAX9990应用电路设计
4.18 RF2301 300～2500 MHz高隔离的缓冲放大器
4.18.1 RF2301的主要技术特性
4.18.2 RF2301引脚功能与内部结构
4.18.3 RF2301的应用电路设计
4.19 μPG2304TK 720 MHz/1320 MHz VCO缓冲器电路
4.19.1 μPG2304TK主要技术特性
4.19.2 μPG2304TK引脚功能与内部结构
4.19.3 μPG2304TK应用电路设计
第5章 前置分频器电路设计
5.1 PE3501/PE83501 0.4～3.5 GHz 2分频前置分频器电路
5.1.1 PE3501/PE83501主要技术特性
5.1.2 PE3501/PE83501引脚功能与内部结构
5.1.3 PE3501/PE83501芯片应用电路设计
5.2 PE3502/PE83502 1.5～3.5 GHz 4分频前置分频器电路
5.2.1 PE3502/PE83502主要技术特性
5.2.2 PE3502/PE83502引脚功能与内部结构
5.2.3 PE3502/PE83502芯片应用电路设计
5.3 PE3503/PE83503 1.5～3.5 GHz 8分频前置分频器电路
5.3.1 PE3503/PE83503主要技术特性
5.3.2 PE3503/PE83503引脚功能与内部结构
5.3.3 PE3503/PE83503芯片应用电路设计
5.4 PE3511 DC～1500 MHz 2分频前置分频器电路
5.4.1 PE3511主要技术特性
5.4.2 PE3511引脚功能与内部结构
5.4.3 PE3511芯片应用电路设计
5.5 PE3512 DC～1500 MHz 4分频前置分频器电路
5.5.1 PE3512主要技术特性
5.5.2 PE3512引脚功能与内部结构
5.5.3 PE3512芯片应用电路设计
5.6 PE3513 DC～1500 MHz 8分频前置分频器电路
5.6.1 PE3513主要技术特性
5.6.2 PE3513引脚功能与内部结构
5.6.3 PE3513芯片应用电路设计
5.7 PE83511 DC～1500 MHz 2分频前置分频器电路
5.7.1 PE83511主要技术特性
5.7.2 PE83511引脚功能与内部结构
5.7.3 PE83511芯片应用电路设计
5.8 PE83512 DC～1500 MHz 4分频前置分频器电路
5.8.1 PE83512主要技术特性
5.8.2 PE83512引脚功能与内部结构
5.8.3 PE83512芯片应用电路设计
5.9 PE83513 DC～1500 MHz 8分频前置分频器电路
5.9.1 PE83513主要技术特性
5.9.2 PE83513引脚功能与内部结构
5.9.3 PE83513芯片应用电路设计
5.10 PMB2313/PMB2314 1.1/2.1 GHz前置分频器电路
5.10.1 PMB2313/PMB2314主要技术特性
5.10.2 PMB2313/PMB2314引脚功能与内部结构
5.10.3 PMB2313/PMB2314应用电路设计
5.11 μPB1509GV 1 GHz前置分频器电路
5.11.1 μPB1509GV的主要技术特性
5.11.2 μPB1509GV引脚功能与内部结构
5.11.3 μPB1509GV的应用电路设计
第6章 DDS(直接数字频率合成器)电路设计
6.1 DDS系列芯片简介
6.2 AD9830 50 MHz CMOS DDS电路
6.2.1 AD9830主要技术特性
6.2.2 AD9830引脚功能与内部结构
6.2.3 AD9830的应用电路
6.3 AD9831 25 MHz CMOS DDS电路
6.3.1 AD9831主要技术特性
6.3.2 AD9831引脚功能与内部结构
6.3.3 AD9831的应用电路
6.4 AD9832 25 MHz CMOS DDS电路
6.4.1 AD9832主要技术特性
6.4.2 AD9832引脚功能与内部结构
6.4.3 AD9832的应用电路
6.5 AD9833 0～12.5 MHz可编程波形发生器电路
6.5.1 AD9833主要技术特性
6.5.2 AD9833引脚功能与内部结构
6.5.3 AD9833的应用电路
6.6 AD9834 50 MHz DDS电路
6.6.1 AD9834的主要技术特性
6.6.2 AD9834引脚功能、内部结构与工作原理
6.6.3 AD9834的应用电路
6.7 AD9835 50 MHz CMOS DDS电路
6.7.1 AD9835主要技术特性
6.7.2 AD9835引脚功能与内部结构
6.7.3 AD9835的应用电路
6.8 AD9850 125 MHz CMOS DDS电路
6.8.1 AD9850主要技术特性
6.8.2 AD9850引脚功能与内部结构
6.8.3 AD9850应用电路
6.9 AD9851 180 MHz CMOS DDS/DAC电路
6.9.1 AD9851主要技术特性
6.9.2 AD9851引脚功能与内部结构
6.9.3 AD9851应用电路
6.10 AD9852 300 MSPS CMOS DDS电路
6.10.1 AD9852的主要技术特性
6.10.2 AD9852引脚功能与内部结构
6.10.3 AD9852的应用电路
6.11 AD9854 300 MSPS CMOS正交DDS电路
6.11.1 AD9854主要技术特性
6.11.2 AD9854引脚功能与内部结构
6.11.3 AD9854应用电路
6.12 AD9858 1GSPS DDS电路
6.12.1 AD9858的主要技术特性
6.12.2 AD9858引脚功能与内部结构
6.12.3 AD9858的应用电路
6.13 AD9859 400MSPS 1.8 V CMOS DDS电路
6.13.1 AD9859主要技术特性
6.13.2 AD9859引脚功能与内部结构
6.13.3 AD9859应用电路
6.14 AD9910 1GSPS 3.3 V 14位DDS电路
6.14.1 AD9910主要技术特性
6.14.2 AD9910引脚功能与内部结构
6.14.3 AD9910应用电路
6.15 AD9912 1GSPS 3.3 V 14位DDS电路
6.15.1 AD9912主要技术特性
6.15.2 AD9912引脚功能与内部结构
6.15.3 AD9912应用电路
6.16 AD9951 400MSPS 1.8 V 14位CMOS DDS电路
6.16.1 AD9951主要技术特性
6.16.2 AD9951引脚功能与内部结构
6.16.3 AD9951应用电路
6.17 AD9952 400MSPS 1.8 V 14位CMOS DDS电路
6.17.1 AD9952主要技术特性
6.17.2 AD9952引脚功能与内部结构
6.17.3 AD9952应用电路
6.18 AD9953 400MSPS 1.8 V 14位CMOS DDS电路
6.18.1 AD9953主要技术特性
6.18.2 AD9953引脚功能与内部结构
6.18.3 AD9953应用电路
6.19 AD9954 400MSPS 1.8 V CMOS DDS电路
6.19.1 AD9954主要技术特性
6.19.2 AD9954引脚功能与内部结构
6.19.3 AD9954应用电路
6.20 AD9956基于2.7 GHz DDS的AgileRFT?合成器电路
6.20.1 AD9956主要技术特性
6.20.2 AD9956内部结构、芯片封装与功能引脚
6.20.3 AD9956应用电路
6.21 AD9958双通道500 MSPS DDS电路
6.21.1 AD9958主要技术特性
6.21.2 AD9958引脚功能与内部结构
6.21.3 AD9958的应用电路
6.22 AD9959 500MSPS 4通道DDS电路
6.22.1 AD9959主要技术特性
6.22.2 AD9959引脚功能与内部结构
6.22.3 AD9959应用电路
6.23 ISL5314 125MSPS 14位DDS电路
6.23.1 ISL5314的主要技术特性
6.23.2 ISL5314引脚功能与内部结构
6.23.3 ISL5314的应用电路
6.24 Xilinx DDS v 5.0
6.24.1 DDS v 5.0主要技术特性
6.24.2 DDS引脚端符号与定义
6.24.3 DDS基本结构与工作原理
6.24.4 DDS参数设置
第7章 时钟发生器电路设计
7.1 AD9510 1.2 GHz PLL内核8输出的时钟发生器电路
7.1.1 AD9510主要技术特性
7.1.2 AD9510引脚功能与内部结构
7.1.3 AD9510的应用电路设计
7.2 AD9511 1.2 GHz PLL内核5输出的时钟发生器电路
7.2.1 AD9511主要技术特性
7.2.2 AD9511引脚功能与内部结构
7.2.3 AD9511的应用电路设计
7.3 AD9512 1.6 GHz输入/1.2 GHz 5输出的时钟发生器电路
7.3.1 AD9512主要技术特性
7.3.2 AD9512引脚功能与内部结构
7.3.3 AD9512的应用电路设计
7.4 AD9540 655 MHz低抖动时钟发生器电路
7.4.1 AD9540主要技术特性
7.4.2 AD9540引脚功能与内部结构
7.4.3 AD9540的应用电路设计
7.5 ADF4001 200 MHz锁相环时钟发生器电路
7.5.1 ADF4001主要技术特性
7.5.2 ADF4001的引脚功能与内部结构
7.5.3 ADF4001的应用电路设计
7.6 MC12439 50～800 MHz PLL时钟发生器电路
7.6.1 MC12439主要技术特性
7.6.2 MC12439的封装形式与引脚功能
7.6.3 MC12439的应用电路设计
7.7 MPC9229 400 MHz低电压时钟发生器电路
7.7.1 MPC9229芯片主要技术特性
7.7.2 MPC9229引脚功能与内部结构
7.7.3 MPC9229应用电路设计
7.8 MPC9992 400 MHz PLL时钟发生器电路
7.8.1 MPC9992主要技术特性
7.8.2 MPC9992引脚功能与内部结构
7.8.3 MPC9992应用电路
参考文献
第1章 锁相环与频率合成器电路基础
1.1 频率合成的基本方法和指标
1.1.1 频率合成的基本方法
1.1.2 频率合成器的主要技术指标
1.2 锁相环路(PLL)电路基础
1.2.1 锁相环路的基本结构与工作原理
1.2.2 数字锁相式频率合成器的基本结构与工作原理
1.2.3 全数字锁相环的基本结构与工作原理
1.3 直接数字式频率合成器(DDS)基础
1.3.1 DDS的结构与工作原理
1.3.2 DDS的技术特点
1.3.3 DDS的输出信号频谱特性
1.3.4 DDS的调制特性
1.4 频率合成器电路结构
1.4.1 单环数字锁相式频率合成器电路
1.4.2 前置分频型单环数字锁相式频率合成器电路
1.4.3 下变频型单环数字锁相式频率合成器电路
1.4.4 变模前置分频型数字锁相式频率合成器电路
1.4.5 小数分频型数字锁相式频率合成器电路
1.4.6 多环数字锁相式频率合成器电路
1.4.7 环外插入混频器的DDS+PLL频率合成器电路
1.4.8 环内插入混频器的DDS+PLL频率合成器电路
1.4.9 DDS激励PLL的频率合成器电路
第2章 正弦波振荡器电路基础
2.1 反馈型正弦波振荡器的基本原理
2.1.1 反馈型正弦波振荡器的组成
2.1.2 自激振荡的平衡条件
2.1.3 自激振荡的起振条件
2.1.4 振荡器的稳定条件
2.2 LC振荡器
2.2.1 三点式振荡器电路的基本结构
2.2.2 改进的电容三点式振荡器电路
2.2.3 几种三点式振荡器电路的比较
2.3 石英晶体振荡器电路
2.3.1 石英晶体谐振器
2.3.2 石英晶体振荡器基本电路结构
2.3.3 普通晶体振荡器
2.3.4 温度补偿晶体振荡器
2.3.5 恒温晶体振荡器
2.4 压控振荡器电路
2.4.1 压控振荡器的主要技术指标
2.4.2 变容二极管压控振荡器
2.4.3 射极耦合多谐振荡器构成的VCO
2.4.4 环形振荡器结构的VCO
2.5 振荡器频率和振幅的稳定
2.5.1 振荡器频率的稳定
2.5.2 振荡器振幅的稳定
2.6 寄生振荡
2.6.1 寄生振荡的表现形式
2.6.2 寄生振荡的产生原因及其防止或消除方法
第3章 PLL频率合成器电路设计
3.1 ADF4106 500～600 MHz PLL频率合成器电路
3.1.1 ADF4106的主要技术特性
3.1.2 ADF4106的芯片封装与引脚功能
3.1.3 ADF4106的内部结构与工作原理
3.1.4 ADF4106的应用电路设计
3.2 ADF4110～4113 0.55～4.0 GHz PLL频率合成器电路
3.2.1 ADF4110～4113的主要技术特性
3.2.2 ADF4110～4113芯片封装和引脚功能
3.2.3 ADF4110～4113内部结构和工作原理
3.2.4 ADF4110～4113应用电路设计
3.3 ADF4116～4118 0.55～3.0 GHz PLL频率合成器电路
3.3.1 ADF4116～4118主要技术特性
3.3.2 ADF4116～4118芯片封装和引脚功能
3.3.3 ADF4116～4118内部结构和工作原理
3.3.4 ADF4116～4118应用电路设计
3.4 ADF4153 4 GHz PLL频率合成器电路
3.4.1 ADF4153主要性能指标
3.4.2 ADF4153引脚功能与内部结构
3.4.3 ADF4153应用电路设计
3.5 ADF4154 500 MHz～4 GHz PLL频率合成器电路
3.5.1 ADF4154主要性能指标
3.5.2 ADF4154引脚功能与内部结构
3.5.3 ADF4154应用电路设计
3.6 ADF4193 3.5 GHz PLL频率合成器电路
3.6.1 ADF4193主要技术特性
3.6.2 ADF4193芯片封装和引脚功能
3.6.3 ADF4193内部结构和工作原理
3.6.4 ADF4193应用电路设计
3.7 ADF4212L双频2.4 GHz/1.0 GHz PLL频率合成器电路
3.7.1 ADF4212L主要技术特性
3.7.2 ADF4212L芯片封装和引脚功能
3.7.3 ADF4212L内部结构和工作原理
3.7.4 ADF4212L应用电路设计
3.8 ADF4217L～4219L双频PLL频率合成器电路
3.8.1 ADF4217L/ADF4218L/ADF4219L主要技术特性
3.8.2 ADF4217L/ADF4218L/ADF4219L芯片封装和引脚功能
3.8.3 ADF4217L/ADF4218L/ADF4219L内部结构和工作原理
3.8.4 ADF4217L/ADF4218L/ADF4219L应用电路设计
3.9 CX7925 300 MHz/350 MHz锁相环频率合成器电路
3.9.1 CX7925主要技术特性
3.9.2 CX7925封装形式与引脚功能
3.9.3 CX7925内部结构与工作原理
3.9.4 CX7925应用电路设计
3.10 CXA3106AQ LCD监视器/放映机用PLL电路
3.10.1 CXA3106AQ主要技术特性
3.10.2 CXA3106AQ封装形式与引脚功能
3.10.3 CXA3106AQ内部结构与工作原理
3.10.4 CXA3106AQ应用电路设计
3.11 CXA3266Q LCD监视器/放映机用PLL电路
3.11.1 CXA3266Q主要技术特性
3.11.2 CXA3266Q封装形式与引脚功能
3.11.3 CXA3266Q内部结构与工作原理
3.11.4 CXA3266Q应用电路设计
3.12 FS8108E 40～100 MHz PLL频率合成器电路
3.12.1 FS8108E的主要技术特性
3.12.2 FS8108E的封装形式与引脚功能
3.12.3 FS8108E的内部结构与工作原理
3.12.4 FS8108E的应用电路设计
3.13 HPLL-8001 4～160 MHz PLL频率合成器电路
3.13.1 HPLL-8001的主要技术特性
3.13.2 HPLL-8001的芯片封装与引脚功能
3.13.3 HPLL-8001的内部结构与工作原理
3.13.4 HPLL-8001的应用电路设计
3.14 LMX2306U/LMX2316U/LMX2326U 550 MHz/1.2 GHz/2.8 GHz频率合成器电路
3.14.1 LMX2306U/LMX2316U/LMX2326U主要技术特性
3.14.2 LMX2306/16/26芯片封装和引脚功能
3.14.3 LMX2306/16/26的内部结构和工作原理
3.14.4 LMX2306的应用电路设计
3.15 LMX2310/1/2/3U 2.5 GHz/2.0 GHz/1.2 GHz/600 MHz频率合成器电路
3.15.1 LMX2310/1/2/3U主要技术特性
3.15.2 LMX2310/1/2/3U芯片封装和引脚功能
3.15.3 LMX2310/1/2/3U的内部结构和工作原理
3.15.4 LMX2310/1/2/3U的应用电路设计
3.16 LMX233xU 2.5 GHz/600 MHz,2.0 GHz/600 MHz,1.2 GHz/600 MHz双频频率合成器电路
3.16.1 LMX233xU主要技术特性
3.16.2 LMX233xU芯片封装和引脚功能
3.16.3 LMX233xU的内部结构和工作原理
3.16.4 LMX233xU的应用电路设计
3.17 LMX2346/LMX2347 0.2～2.5 GHz PLL电路
3.17.1 LMX2346/LMX2347的主要技术特性
3.17.2 LMX2346/LMX2347的封装形式与引脚功能
3.17.3 LMX2346/LMX2347的内部结构与工作原理
3.17.4 LMX2346/LMX2347的应用电路设计
3.18 LMX2350/LMX2352小数N分频RF/整数N分频IF的双频频率合成器电路
3.18.1 LMX2350/LMX2352主要技术特性
3.18.2 LMX2350/LMX2352封装形式和引脚功能
3.18.3 LMX2350/LMX2352的内部结构和工作原理
3.18.4 LMX2350/LMX2352的应用电路设计
3.19 LMX243x 3.0/0.8 GHz,3.6/1.7 GHz,5.0/2.5 GHz双频频率合成器电路
3.19.1 LMX243x主要技术特性
3.19.2 LMX243x引脚封装、引脚功能与内部结构
3.19.3 LMX243x的应用电路设计
3.20 LMX2502/LMX2512带有集成压控振荡器的频率合成器电路
3.20.1 LMX2502/LMX2512主要技术特性
3.20.2 LMX2502/LMX2512芯片封装和引脚功能
3.20.3 LMX2502/LMX2512的内部结构和工作原理
3.20.4 LMX2502/LMX2512应用电路设计
3.21 LMX2525带有集成压控振荡器的双频频率合成器电路
3.21.1 LMX2525主要技术特性
3.21.2 LMX2525封装形式与引脚功能
3.21.3 LMX2525的内部结构和工作原理
3.21.4 LMX2525的应用电路设计
3.22 LMX2542带有VCO的蜂窝电话和GPS的频率合成器电路
3.22.1 LMX2542主要技术特性
3.22.2 LMX2542的芯片封装及引脚功能
3.22.3 LMX2542的内部结构及工作原理
3.22.4 LMX2542的应用电路设计
3.23 MB1504申行输入PLL频率合成器电路
3.23.1 MB1504封装形式与引脚功能
3.23.2 MB1504内部结构与工作原理
3.23.3 MB1504应用电路设计
3.24 MC145106 4～12 MHz PLL频率合成器电路
3.24.1 MC145106主要技术特点
3.24.2 MC145106封装形式与引脚功能
3.24.3 MC145106的内部结构和工作原理
3.24.4 MC145106的应用电路设计
3.25 MC145170-2使用串行接口的PLL频率合成器电路
3.25.1 MC145170-2主要技术特性
3.25.2 MC145170-2的芯片封装和引脚功能
3.25.3 MC145170-2芯片内部结构和工作原理
3.25.4 MC145170-2的应用电路设计
3.26 PE3291 1200 MHz/550 MHz双频PLL频率合成器电路
3.26.1 PE3291主要技术特性
3.26.2 PE3291的封装形式与引脚功能
3.26.3 PE3291的内部结构及工作原理
3.26.4 PE3291的应用电路设计
3.27 PE3342 0.3～2.7 GHz带EEPROM的PLL电路
3.27.1 PE3342主要技术特性
3.27.2 PE3342的芯片封装与引脚功能
3.27.3 PE3342的内部结构与工作原理
3.27.4 PE3342的应用电路设计
3.28 PMB2347 2.8 GHz/500 MHz双频PLL频率合成器电路
3.28.1 PMB2347主要技术特性
3.28.2 PMB2347的封装形式与引脚功能
3.28.3 PMB2347的内部结构和工作原理
3.28.4 PMB2347应用电路设计
3.29 SA8026 350～2500 MHz PLL频率合成器电路
3.29.1 SA8026的主要技术特性
3.29.2 SA8026封装形式与引脚功能
3.29.3 SA8026内部结构与工作原理
3.29.4 SA8026的应用电路设计
3.30 SA8027 0.5～2.5 GHz小数N分频频率合成器电路
3.30.1 SA8027主要技术特性
3.30.2 SA8027引脚功能与内部结构
3.30.3 SA8027应用电路设计
3.31 SP5748 80 MHz～2.4 GHz PLL频率合成器电路
3.31.1 SP5748的主要技术性能与特点
3.31.2 SP5748封装形式与引脚功能
3.31.3 SP5748内部结构与工作原理
3.31.4 SP5748的应用电路设计
3.32 SP5769 3 GHz I2C总线频率合成器电路
3.32.1 SP5769的主要技术特性
3.32.2 SP5769芯片封装与引脚功能
3.32.3 SP5769内部结构与工作原理
3.32.4 SP5769的应用电路设计
3.33 SP8853A/B 1.3 GHz PLL频率合成器电路
3.33.1 SP8853A/B的主要技术特性
3.33.2 SP8853A/B芯片封装与引脚功能
3.33.3 SP8853A/B内部结构与工作原理
3.33.4 SP8853A/B的应用电路设计
3.34 SP8854E 2.7 GHz PLL频率合成器电路
3.34.1 SP8854E的主要技术性能与特点
3.34.2 SP8854E芯片封装与引脚功能
3.34.3 SP8854E内部结构与工作原理
3.34.4 SP8854E的应用电路设计
3.35 STW81100 0.82～4.4 GHz多频带PLL频率合成器电路
3.35.1 STW81100主要技术特性
3.35.2 STW81100的芯片封装与引脚功能
3.35.3 STW81100内部结构与工作原理
3.35.4 STW81100的应用电路设计
3.36 STW81101 0.82～4.4 GHz多频带PLL频率合成器电路
3.36.1 STW81101主要技术特性
3.36.2 STW81101的芯片封装与引脚功能
3.36.3 STW81101内部结构与工作原理
3.36.4 STW81101的应用电路设计
3.37 STW81102 0.75～4.6 GHz多频带频率合成器电路
3.37.1 STW81102主要技术特性
3.37.2 STW81102引脚功能、内部结构与工作原理
3.37.3 STW81102的应用电路设计
3.38 TRF1112/TRF1212用于IF下变频器的双VCO/PLL合成器电路
3.38.1 TRF1112/TRF1212主要技术特性
3.38.2 TRF1112/TRF1212引脚功能与内部结构
3.38.3 TRF1112/TRF1212应用电路设计
3.39 TRF1121/TRF1221用于IF上变频器的双VCO/PLL合成器电路
3.39.1 TRF1121/TRF1221主要技术特性
3.39.2 TRF1121/TRF1221引脚功能与内部结构
3.39.3 TRF1121/TRF1221应用电路设计
3.40 U2786B 800～1000 MHz PLL频率合成器电路
3.40.1 U2786B的主要技术特性
3.40.2 U2786B封装形式与引脚功能
3.40.3 U2786B内部结构与工作原理
3.40.4 U2786B的应用电路设计
3.41 UMA1014 50～1100 MHz低功耗PLL频率合成器电路
3.41.1 UMA1014的主要技术特性
3.41.2 UMA1014封装形式与引脚功能
3.41.3 UMA1014内部结构与工作原理
3.41.4 UMA1014的应用电路设计
第4章 压控振荡器(VCO)电路设计
4.1 ISL3183 748 MHz VCO电路
4.1.1 ISL3183的主要技术特性
4.1.2 ISL3183引脚功能与内部结构
4.1.3 ISL3183应用电路设计
4.2 MAX2605～MAX2609 45～650 MHz差分输出IF压控振荡器电路
4.2.1 MAX2605～MAX2609主要技术特性
4.2.2 MAX2605～MAX2609引脚功能与内部结构
4.2.3 MAX2605～MAX2609系列芯片应用电路设计
4.3 MAX2620 10～1050 MHz RF振荡器电路
4.3.1 MAX2620主要技术特性
4.3.2 MAX2620引脚功能与内部结构
4.4 MAX2622/MAX2623/MAX2624 855～998 MHz VCO电路
4.4.1 MAX2622/MAX2623/MAX2624主要技术性能
4.4.2 MAX2622/MAX2623/MAX2624芯片封装与引脚功能
4.4.3 MAX2622/MAX2623/MAX2624应用电路设计
4.5 MAX2750/MAX2751/MAX2752 2.4 GHz VCO电路
4.5.1 MAX2750/MAX2751/MAX2752主要技术性特性
4.5.2 MAX2750/MAX2751/MAX2752封装形式与引脚功能
4.5.3 MAX2750/MAX2751/MAX2752芯片应用电路设计
4.6 MAX2753 2.4 GHz VCO电路
4.6.1 MAX2753的主要技术特性
4.6.2 MAX2753封装形式与引脚功能
4.6.3 MAX2753的应用电路设计
4.7 MAX2754 1.2 GHz VCO电路
4.7.1 MAX2754的主要技术特性
4.7.2 MAX2754引脚功能与内部结构
4.7.3 MAX2754的应用电路设计
4.8 MC1648 225 MHz VCO电路
4.8.1 MC1648主要技术特性
4.8.2 MC1648引脚功能与内部结构
4.8.3 MC1648的应用电路设计
4.9 MC12148 1100 MHz低功耗VCO电路
4.9.1 MC12148芯片主要技术性能
4.9.2 MC12148引脚功能与内部结构
4.9.3 MC12148芯片应用电路设计
4.10 Si550 10 MHz～1.4 GHz VCXO电路
4.10.1 Si550主要技术特性
4.10.2 Si550引脚功能与内部结构
4.10.3 Si550应用电路设计
4.11 VTO-8000系列600 MHz～10.85 GHz VCO电路
4.11.1 VTO-8000系列VCO主要技术特性
4.11.2 VTO-8000系列VCO的封装形式与引脚功能
4.11.3 VTO-8000系列VCO的内部结构
4.11.4 VTO-8000系列VCO的应用电路设计
4.12 VTO-9000系列320 MHz～2.3 GHz VCO电路
4.12.1 VTO-9000系列VCO主要技术特性
4.12.2 VTO-9000系列VCO引脚功能与内部结构
4.12.3 VTO-9000系列VCO应用电路设计
4.13 Si530/531 10 MHz～1.4 GHz晶体振荡器
4.13.1 Si530/531主要技术特性
4.13.2 Si530/531引脚功能与内部结构
4.13.3 Si530/531的应用电路设计
4.14 MAX2472/MAX2473 0.5～2.5 GHz VCO缓冲放大器电路
4.14.1 MAX2472/MAX2473主要技术特性
4.14.2 MAX2472/MAX2473封装形式与引脚结构
4.14.3 MAX2472/MAX2473内部结构
4.14.4 MAX2472/MAX2473应用电路设计
4.15 MAX2470/MAX2471 10～500 MHz VCO输出缓冲电路
4.15.1 MAX2470/MAX2471的主要技术特性
4.15.2 MAX2470/MAX2471引脚功能与内部结构
4.15.3 MAX2470/MAX2471的应用电路设计
4.16 MAX9987/MAX9988 LO缓冲器/功率分配器电路
4.16.1 MAX9987/MAX9988主要技术特性
4.16.2 MAX9987/MAX9988引脚功能与内部结构
4.16.3 MAX9987/MAX9988应用电路设计
4.17 MAX9989/MAX9990 LO缓冲器/功率分配器电路
4.17.1 MAX9989/MAX9990主要技术特性
4.17.2 MAX9989/MAX9990引脚功能与内部结构
4.17.3 MAX9989/MAX9990应用电路设计
4.18 RF2301 300～2500 MHz高隔离的缓冲放大器
4.18.1 RF2301的主要技术特性
4.18.2 RF2301引脚功能与内部结构
4.18.3 RF2301的应用电路设计
4.19 μPG2304TK 720 MHz/1320 MHz VCO缓冲器电路
4.19.1 μPG2304TK主要技术特性
4.19.2 μPG2304TK引脚功能与内部结构
4.19.3 μPG2304TK应用电路设计
第5章 前置分频器电路设计
5.1 PE3501/PE83501 0.4～3.5 GHz 2分频前置分频器电路
5.1.1 PE3501/PE83501主要技术特性
5.1.2 PE3501/PE83501引脚功能与内部结构
5.1.3 PE3501/PE83501芯片应用电路设计
5.2 PE3502/PE83502 1.5～3.5 GHz 4分频前置分频器电路
5.2.1 PE3502/PE83502主要技术特性
5.2.2 PE3502/PE83502引脚功能与内部结构
5.2.3 PE3502/PE83502芯片应用电路设计
5.3 PE3503/PE83503 1.5～3.5 GHz 8分频前置分频器电路
5.3.1 PE3503/PE83503主要技术特性
5.3.2 PE3503/PE83503引脚功能与内部结构
5.3.3 PE3503/PE83503芯片应用电路设计
5.4 PE3511 DC～1500 MHz 2分频前置分频器电路
5.4.1 PE3511主要技术特性
5.4.2 PE3511引脚功能与内部结构
5.4.3 PE3511芯片应用电路设计
5.5 PE3512 DC～1500 MHz 4分频前置分频器电路
5.5.1 PE3512主要技术特性
5.5.2 PE3512引脚功能与内部结构
5.5.3 PE3512芯片应用电路设计
5.6 PE3513 DC～1500 MHz 8分频前置分频器电路
5.6.1 PE3513主要技术特性
5.6.2 PE3513引脚功能与内部结构
5.6.3 PE3513芯片应用电路设计
5.7 PE83511 DC～1500 MHz 2分频前置分频器电路
5.7.1 PE83511主要技术特性
5.7.2 PE83511引脚功能与内部结构
5.7.3 PE83511芯片应用电路设计
5.8 PE83512 DC～1500 MHz 4分频前置分频器电路
5.8.1 PE83512主要技术特性
5.8.2 PE83512引脚功能与内部结构
5.8.3 PE83512芯片应用电路设计
5.9 PE83513 DC～1500 MHz 8分频前置分频器电路
5.9.1 PE83513主要技术特性
5.9.2 PE83513引脚功能与内部结构
5.9.3 PE83513芯片应用电路设计
5.10 PMB2313/PMB2314 1.1/2.1 GHz前置分频器电路
5.10.1 PMB2313/PMB2314主要技术特性
5.10.2 PMB2313/PMB2314引脚功能与内部结构
5.10.3 PMB2313/PMB2314应用电路设计
5.11 μPB1509GV 1 GHz前置分频器电路
5.11.1 μPB1509GV的主要技术特性
5.11.2 μPB1509GV引脚功能与内部结构
5.11.3 μPB1509GV的应用电路设计
第6章 DDS(直接数字频率合成器)电路设计
6.1 DDS系列芯片简介
6.2 AD9830 50 MHz CMOS DDS电路
6.2.1 AD9830主要技术特性
6.2.2 AD9830引脚功能与内部结构
6.2.3 AD9830的应用电路
6.3 AD9831 25 MHz CMOS DDS电路
6.3.1 AD9831主要技术特性
6.3.2 AD9831引脚功能与内部结构
6.3.3 AD9831的应用电路
6.4 AD9832 25 MHz CMOS DDS电路
6.4.1 AD9832主要技术特性
6.4.2 AD9832引脚功能与内部结构
6.4.3 AD9832的应用电路
6.5 AD9833 0～12.5 MHz可编程波形发生器电路
6.5.1 AD9833主要技术特性
6.5.2 AD9833引脚功能与内部结构
6.5.3 AD9833的应用电路
6.6 AD9834 50 MHz DDS电路
6.6.1 AD9834的主要技术特性
6.6.2 AD9834引脚功能、内部结构与工作原理
6.6.3 AD9834的应用电路
6.7 AD9835 50 MHz CMOS DDS电路
6.7.1 AD9835主要技术特性
6.7.2 AD9835引脚功能与内部结构
6.7.3 AD9835的应用电路
6.8 AD9850 125 MHz CMOS DDS电路
6.8.1 AD9850主要技术特性
6.8.2 AD9850引脚功能与内部结构
6.8.3 AD9850应用电路
6.9 AD9851 180 MHz CMOS DDS/DAC电路
6.9.1 AD9851主要技术特性
6.9.2 AD9851引脚功能与内部结构
6.9.3 AD9851应用电路
6.10 AD9852 300 MSPS CMOS DDS电路
6.10.1 AD9852的主要技术特性
6.10.2 AD9852引脚功能与内部结构
6.10.3 AD9852的应用电路
6.11 AD9854 300 MSPS CMOS正交DDS电路
6.11.1 AD9854主要技术特性
6.11.2 AD9854引脚功能与内部结构
6.11.3 AD9854应用电路
6.12 AD9858 1GSPS DDS电路
6.12.1 AD9858的主要技术特性
6.12.2 AD9858引脚功能与内部结构
6.12.3 AD9858的应用电路
6.13 AD9859 400MSPS 1.8 V CMOS DDS电路
6.13.1 AD9859主要技术特性
6.13.2 AD9859引脚功能与内部结构
6.13.3 AD9859应用电路
6.14 AD9910 1GSPS 3.3 V 14位DDS电路
6.14.1 AD9910主要技术特性
6.14.2 AD9910引脚功能与内部结构
6.14.3 AD9910应用电路
6.15 AD9912 1GSPS 3.3 V 14位DDS电路
6.15.1 AD9912主要技术特性
6.15.2 AD9912引脚功能与内部结构
6.15.3 AD9912应用电路
6.16 AD9951 400MSPS 1.8 V 14位CMOS DDS电路
6.16.1 AD9951主要技术特性
6.16.2 AD9951引脚功能与内部结构
6.16.3 AD9951应用电路
6.17 AD9952 400MSPS 1.8 V 14位CMOS DDS电路
6.17.1 AD9952主要技术特性
6.17.2 AD9952引脚功能与内部结构
6.17.3 AD9952应用电路
6.18 AD9953 400MSPS 1.8 V 14位CMOS DDS电路
6.18.1 AD9953主要技术特性
6.18.2 AD9953引脚功能与内部结构
6.18.3 AD9953应用电路
6.19 AD9954 400MSPS 1.8 V CMOS DDS电路
6.19.1 AD9954主要技术特性
6.19.2 AD9954引脚功能与内部结构
6.19.3 AD9954应用电路
6.20 AD9956基于2.7 GHz DDS的AgileRFT?合成器电路
6.20.1 AD9956主要技术特性
6.20.2 AD9956内部结构、芯片封装与功能引脚
6.20.3 AD9956应用电路
6.21 AD9958双通道500 MSPS DDS电路
6.21.1 AD9958主要技术特性
6.21.2 AD9958引脚功能与内部结构
6.21.3 AD9958的应用电路
6.22 AD9959 500MSPS 4通道DDS电路
6.22.1 AD9959主要技术特性
6.22.2 AD9959引脚功能与内部结构
6.22.3 AD9959应用电路
6.23 ISL5314 125MSPS 14位DDS电路
6.23.1 ISL5314的主要技术特性
6.23.2 ISL5314引脚功能与内部结构
6.23.3 ISL5314的应用电路
6.24 Xilinx DDS v 5.0
6.24.1 DDS v 5.0主要技术特性
6.24.2 DDS引脚端符号与定义
6.24.3 DDS基本结构与工作原理
6.24.4 DDS参数设置
第7章 时钟发生器电路设计
7.1 AD9510 1.2 GHz PLL内核8输出的时钟发生器电路
7.1.1 AD9510主要技术特性
7.1.2 AD9510引脚功能与内部结构
7.1.3 AD9510的应用电路设计
7.2 AD9511 1.2 GHz PLL内核5输出的时钟发生器电路
7.2.1 AD9511主要技术特性
7.2.2 AD9511引脚功能与内部结构
7.2.3 AD9511的应用电路设计
7.3 AD9512 1.6 GHz输入/1.2 GHz 5输出的时钟发生器电路
7.3.1 AD9512主要技术特性
7.3.2 AD9512引脚功能与内部结构
7.3.3 AD9512的应用电路设计
7.4 AD9540 655 MHz低抖动时钟发生器电路
7.4.1 AD9540主要技术特性
7.4.2 AD9540引脚功能与内部结构
7.4.3 AD9540的应用电路设计
7.5 ADF4001 200 MHz锁相环时钟发生器电路
7.5.1 ADF4001主要技术特性
7.5.2 ADF4001的引脚功能与内部结构
7.5.3 ADF4001的应用电路设计
7.6 MC12439 50～800 MHz PLL时钟发生器电路
7.6.1 MC12439主要技术特性
7.6.2 MC12439的封装形式与引脚功能
7.6.3 MC12439的应用电路设计
7.7 MPC9229 400 MHz低电压时钟发生器电路
7.7.1 MPC9229芯片主要技术特性
7.7.2 MPC9229引脚功能与内部结构
7.7.3 MPC9229应用电路设计
7.8 MPC9992 400 MHz PLL时钟发生器电路
7.8.1 MPC9992主要技术特性
7.8.2 MPC9992引脚功能与内部结构
7.8.3 MPC9992应用电路
参考文献
锁相环与频率合成器电路设计
- 名称
- 类型
- 大小
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