电力电子技术实践教程

　　第一章 晶闸管
　　 1.2 概述
　　 1.1.1 晶闸管的结构与工作原理
　　 1.1.2 晶闸管的基本特性
　　 1.1.3 晶闸管的主要参数
　　 1.2 触发控制及专用集成电路
　　 1.2.1 晶闸管的触发电路
　　 1.2.1.1 触发电路的组成
　　 1.2.1.2 触发电路的工作原理
　　 1.2.2 晶闸管移相触发控制专用集成电路
　　 1.2.2.1 KJ004晶闸管移相触发器集成电路
　　 1.2.2.2 TCA785晶闸管及晶体管移相触发器集成电路
　　 1.3 典型实验
　　 1.3.1 实验一：单相桥式半控整流电路与单结晶体管触发电路的研究
　　 1.3.2 实验二：三相晶闸管桥式全控整流电路及三相集成触发电路的研究
　　 1.3.3 实验三：单相交流调压电路的性能研究
　　 1.4 可关断晶闸管(GTD)
　　 1.4.1 GTO的结构和工作原理
　　 1.4.2 GTO的动态特性及主要参数
　　 1.4.3 GTO电路结构的基本单元
　　 1.4.4 GTO的驱动电路
　　 1.5 其他
　　 1.5.1 晶闸管的鉴别方法
　　 1.5.2 晶闸管的串并联
　　 1.5.2.1 晶闸管的串联
　　 1.5.2.2 晶闸管的并联
　　 1.5.3 晶闸管模块
　　第二章 电力晶体管
　　 2.1 概述
　　 2.1.1 CTR的基本结构和工作原理
　　 2.1.2 CTR的基本特性
　　 2.1.3 CTR的基本参数
　　 2.1.4 CTR的二次击穿现象与安全工作区
　　 2.2 触发控制及专用集成电路
　　 2.2.1 CTR的基极驱动电路
　　 2.2.2 CTRl基极驱动和控制专用集成电路
　　 2.2.2.1 UAA4002GTR基极驱动和保护集成电路
　　 2.2.2.2 M57215BL／M57925L／M57950L驱动大电流GTR的厚膜驱动器集成电路
　　 2.3 典型实验：CTR单相并联逆变电路
　　 2.4 其他
　　 2.4.1 功率晶体管的并联
　　 2.4.2 CTR模块
　　第三章 电力MOS场效应晶体管
　　 3.1 概述
　　 3.1.1 电力MOSEET的结构和工作原理
　　 3.1.2 电力MOSEET的基本特性
　　 3.1.2.1 静态特性
　　 3.1.2.2 动态特性
　　 3.1.3 电力MOSEET的主要参数
　　 3.2 触发控制及专用集成电路
　　 3.2.1 电力MOSEET对栅极驱动电路的要求
　　 3.2.2 典型驱动电路
　　 3.2.2.1 采用TTL器件驱动MOSEET
　　 3.2.2.2 用CMOS器件驱动MOSEET
　　 3.2.2.3 隔离驱动式MOSEET
　　 3.2.3 电力MOSIW栅极驱动控制专用集成电路
　　 3.2.3.1 IR2110具有两输出的桥臂MOSEET栅极驱动器集成电路
　　 3.2.3.2 IR2133／IR2135／IR2233／IR2235三相全桥MOSEET驱动器集成电路
　　 3.3 典型实验
　　 3.3.1 实验一：直流斩波电路的性能研究
　　 3.3.2 实验二：半桥型开关稳压电源的性能研究
　　 3.3.3 实验三：三相电压型桥式有源逆变电路特性研究
　　 3.4 其他
　　 3.4.1 电力MOSEET的并联运行
　　 3.4.2 电力MOSEET模块
　　第四章 绝缘栅双极型晶体管
　　 4.1 概述
　　 4.1.1 IGBT的结构和工作原理
　　 4.1.2 IGBT的基本特性
　　 4.1.2.1 静态特性
　　 4.1.2.2 动态特性
　　 4.1.3 IGBT的主要参数
　　 4.1.4 IGBT的擎住效应和安全区
　　 4.2 触发控制及专用集成电路
　　 4.2.1 对栅极驱动电路的要求
　　 4.2.2 集成式IGBT驱动器
　　 4.2.2.1 EXB系列IGBT厚膜驱动器集成电路
　　 4.2.2.2 M57959AIJM57962AL／M57959L／M57962L带保护和定时复位功能的厚膜驱动器集成电路
　　 4.3 典型实验
　　 4.3.1 实验一：直流斩……