表面与界面物理[电子资源.图书]

第一章 表面分析
1.1 表面分析特点
1.1--1 超高真空环境(UHV)
1.1--2 清洁表面的制备
1.1--3 高分辨率的表面探针
1.2 表面探针及其与表面的互作用
1.2--1 表面探针与表面互作用类型
1.2--2 电子探针与表面的互作用
1.2--3 入射光子与表面的互作用
1.2--4 入射离子与表面的互作用
1.3 表面成分分析技术
1.3--1 俄歇过程基本概念
1.3--2 俄歇电子能谱(AEP)
1.3--3 俄歇电子谱仪
1.3--4 其他表面成分分析方法
1.4 表面结构分析技术
1.4--1 低能电子衍射(LEED)
1.4--2 反射型高能电子衍射(RHEED)
1.4--3 其他表面结构分析方法
1.5 表面电子态分析技术
1.5--1 光电子发谢
1.5--2 光电子能谱、光电产额谱、角分辨谱
1.5--3 光电子谱仪
第二章 表面结晶学
2.1 理想表面结构
2.1--1 二维结晶学基本概念
2.1--2 二维倒易点阵
2.2 清洁表面结构
2.2--1 表面结构的表述方法
2.2--2 再构表面及其倒易点阵的矩阵元素
2.2--3 表面原子驰豫
2.2--4 表面再构模型
2.3 实际表面结构
2.3--1 表面吸附类型
2.3--2 吸附复盖层
2.3--3 吸附表面层结构
2.3--4 半导体材料的表面吸附
2.4 界面与晶粒间界
2.4--1 晶粒间界一般概念
2.4--2 晶界理论的早期发展
2.4--3 晶粒间界简单模型
2.4--4 电子陶瓷的晶粒间界
2.4--5 晶粒间界的吸附
第三章 表面动力学
3.1 表面振动模
3.1--1 半无限原子链点阵振动
3.1--2 表面模存在条件
3.1--3 三维情况
3.2 连续介质表面波
3.2--1 立方晶体的弹性振动
3.2--2 瑞利表面波
3.3 表面缺陷
3.3--1 表面热缺陷
3.3--2 色心和极化子
3.3--3 表面缺陷的形成和迁移
3.3--4 表面点缺陷浓度
3.4 表面扩散
3.4--1 表面扩散系数
3.4--2 晶界扩散
第四章 表面热力学
4.1 表面张力与表面能
4.1--1 表面能与比表面积
4.1--2 表面能与表面温度
4.1--3 表面能与晶面取向
4.1--4 表面能与表面形状
4.1--5 表面能与表面曲率
4.1--6 表面能与表面状况
4.2 表面润湿与铺展
4.2--1 接触角与表面张力
4.2--2 临界表面张力
4.2--3 粘附与铺展
4.2--4 吸附表面的润湿
4.2--5 粗糙表面的润湿
4.2--6 润湿的毛细效应
4.3 表面吸附
4.3--1 物理吸附和化学吸附
4.3--2 吸附动力学理论
4.3--3 吸附的毛细凝结理论
4.3--4 吸附的热力学理论
4.4 表面效应与新相形成
4.4--1 新相形成的驱动力
4.4--2 晶核的形成条件
4.4--3 成核速率
4.4--4 晶体生长速率
第五章 表面电子学
5.1 简单金属表面的电子状态
5.1--1 一维双端无限势垒模型
5.1--2 电中性原理
5.1--3 表面能
5.2 简单半导体表面态和界面态
5.2--1 一维有限突变势垒模型
5.2--2 无限势垒模型态密度
5.2--3 半导体一金属界面
5.3 表面电导
5.3--1 表面电子输运基本方式
5.3--2 表面态电导
5.3--3 表面空间电荷层
5.3--4 表面量子化
5.3--5 表面空间电荷层载流子输运
5.4 半导体陶瓷界面电子过程
5.4--1 晶粒间界的界面势垒模型
5.4--2 非线性ZnO压敏陶瓷
5.4--3 BaTiO3热敏陶瓷
5.4--4 气敏与湿敏陶瓷
5.5 吸附表面态理论简介
5.5--1 离子吸附的表面态
5.5--2 半导体表面的吸附表面态
5.5--3 夫蓝克--康登效应
5.5--4 吸附表面态平衡占有率
5.5--5 吸附表面态能带的形成
参考书目