简介
简体字中文版出版者的话
《微电子材料与制程》一书是在台湾宏康科技股份有限公司谢泳芬博士的大力推动和台湾材料科学学会的大力支持下，才于2004年的仲夏时节进入简体字中文版的翻译和出版日程。我们复旦大学出版社非常感谢台湾朋友的信任和支持。
本书在出版过程中得到了复旦大学微电子学系的大力帮助，值此出版之机，我们表示衷心的感谢。李炳宗教授、茹国平教授、屈新萍副教授在百忙之中为本书的引进提供了宝贵的专家意见，林殷茵副教授和张军鹰工程师在休息日专程安排关于本书的讨论会，这些都让我们难以忘记。
业实集成电路（上海）有限公司的杨燕小姐为本书的引进出版做了许多具体而细致的落实工作。复芯微电子技术咨询有限公司的杨秋冬先生负责本书的编校工作，并及时阅读校定本书的清样。业实的郭首一先生在接管这一项目的过程中也付出很多劳动。没有他们的努力，我们很难在这么短的时间里向读者呈献这本书。业实和复芯微电子的支持，也是我们能够尽快出版简体中文版的原因之一。
考虑到本书的读者对象是微电子专业的本科生和研究生以及相关领域的工程师，本书在制作简体字中文版的过程中，全盘复制和保留了台湾英杰企业有限公司版图书的图表和文献的处理方 式，由于全书各章由不同作者撰稿，各章作者对书中图表内的英文术语有译成中文的，也有未译成中文的，也有中英文混用的，正文中的物理符号则采用正体字母，计量单位也采取行业规范。这虽然不符合内地的出版规范，但对我们来说，这样做一来可以让读者感受原书的风貌，二来可以让我们尽快地出版本书，因此敬请广大 读者和出版管理部门谅解。
谨以此书的出版作为我们和台湾材料科学学会合作的开始，谨以此书的出版作为我们和微电子领域专家学者合作的开始。
复旦大学出版社
2005.01.25
目录
序 言
编者序
作者简介
第一章 概览
1-1 微电子工业
1-2 微电子材料
1-3 材料的电性
1-4 硅晶集成电路
1-5 集成电路工艺
1-6 微电子材料特性
1-7 微电子材料的应用
1-8 未来挑战与展望
参考文献
习 题
第二章 半导体基本理论
2-1 简介
2-2 晶体结构
2-3 能带结构
2-4 有效质量与电子输运性质
2-5 电子浓度与费米分布
2-6 异质半导体（Extrinsic Semiconductor）
2-7 半导体的界面
参考文献
习 题
第三章 硅晶圆材料制造技术
3-1 简介
3-2 多晶硅原料
3-3 单晶生长设备
3-4 单晶生长程序及相关理论
3-5 晶圆加工成形（Modification）
3-6 晶圆抛光（Polishing）
3-7 晶圆清洗（Water Cleaning）
参考文献
习 题
第四章 硅晶薄膜
4-1 简介
4-2 硅晶薄膜工艺原理及反应机制
4-3 硅外延（Epitaxial Si）
4-4 多晶硅（Poly-Si）
4-5 非晶硅（Amorphous Si）
4-6 结论
参考文献
习 题
第五章 半导体刻蚀技术
5-1 简介
5-2 湿法刻蚀技术
5-3 干法刻蚀技术 （等离子体刻蚀技术）
5-4 金属刻蚀（Metal Etch）
5-5 总结
参考文献
习 题
第六章 光刻技术
6-1 简介
6-2 光刻方式
6-3 光刻掩模版与模板
参考文献
习 题
第七章 离子注入
7-1 前言
7-2 离子注入设备
7-3 离子注入的基本原理
7-4 离子分布与模拟方法
7-5 离子注入造成的硅衬底损伤与热退火
7-6 离子注入在集成电路制造上的应用
7-7 离子注入工艺实务
7-8 结束语
参考文献
习 题
第八章 金属薄膜与工艺
8-1 简介
8-2 金属接触
8-3 栅电极（Gate Electrode）
8-4 器件间互连（Interconnect）
8-5 栓塞（Plug）
8-6 扩散阻挡层
8-7 黏着层（Adhesion Layer）
8-8 抗反射覆盖层（Anti-Reflection Coating）
8-9 工艺整合问题
8-10 铜金属化
8-11 展望
参考文献
习 题
第九章 氧化，介电层
9-1 简介
9-2 氧化层的形成方法
9-3 特殊电介质
9-4 氧化电介质的电性及物质特性
9-5 氧化电介质的应用
9-6 结束语
参考文献
习 题
第十章 电子封装技术
10-1 前言
10-2 芯片粘结
10-3 互连技术
10-4 引脚架
10-5 薄/厚膜技术
10-6 陶瓷封装
10-7 封装的密封
10-8 塑料封装
10-9 印刷电路板
10-10 焊锡与锡膏
10-11 器件与电路板的接合
10-12 清洁与涂封
10-13 新型封装技术
参考文献
习 题
第十一章 材料分析技术在集成电路工艺中的应用
11-1 简介
11-2 材料分析技术
11-3 集成电路工艺模块的观察实例
11-4 各种IC产品的基本结构
11-5 结束语
参考文献
习 题
中英文索引
英中文索引
编者序
作者简介
第一章 概览
1-1 微电子工业
1-2 微电子材料
1-3 材料的电性
1-4 硅晶集成电路
1-5 集成电路工艺
1-6 微电子材料特性
1-7 微电子材料的应用
1-8 未来挑战与展望
参考文献
习 题
第二章 半导体基本理论
2-1 简介
2-2 晶体结构
2-3 能带结构
2-4 有效质量与电子输运性质
2-5 电子浓度与费米分布
2-6 异质半导体（Extrinsic Semiconductor）
2-7 半导体的界面
参考文献
习 题
第三章 硅晶圆材料制造技术
3-1 简介
3-2 多晶硅原料
3-3 单晶生长设备
3-4 单晶生长程序及相关理论
3-5 晶圆加工成形（Modification）
3-6 晶圆抛光（Polishing）
3-7 晶圆清洗（Water Cleaning）
参考文献
习 题
第四章 硅晶薄膜
4-1 简介
4-2 硅晶薄膜工艺原理及反应机制
4-3 硅外延（Epitaxial Si）
4-4 多晶硅（Poly-Si）
4-5 非晶硅（Amorphous Si）
4-6 结论
参考文献
习 题
第五章 半导体刻蚀技术
5-1 简介
5-2 湿法刻蚀技术
5-3 干法刻蚀技术 （等离子体刻蚀技术）
5-4 金属刻蚀（Metal Etch）
5-5 总结
参考文献
习 题
第六章 光刻技术
6-1 简介
6-2 光刻方式
6-3 光刻掩模版与模板
参考文献
习 题
第七章 离子注入
7-1 前言
7-2 离子注入设备
7-3 离子注入的基本原理
7-4 离子分布与模拟方法
7-5 离子注入造成的硅衬底损伤与热退火
7-6 离子注入在集成电路制造上的应用
7-7 离子注入工艺实务
7-8 结束语
参考文献
习 题
第八章 金属薄膜与工艺
8-1 简介
8-2 金属接触
8-3 栅电极（Gate Electrode）
8-4 器件间互连（Interconnect）
8-5 栓塞（Plug）
8-6 扩散阻挡层
8-7 黏着层（Adhesion Layer）
8-8 抗反射覆盖层（Anti-Reflection Coating）
8-9 工艺整合问题
8-10 铜金属化
8-11 展望
参考文献
习 题
第九章 氧化，介电层
9-1 简介
9-2 氧化层的形成方法
9-3 特殊电介质
9-4 氧化电介质的电性及物质特性
9-5 氧化电介质的应用
9-6 结束语
参考文献
习 题
第十章 电子封装技术
10-1 前言
10-2 芯片粘结
10-3 互连技术
10-4 引脚架
10-5 薄/厚膜技术
10-6 陶瓷封装
10-7 封装的密封
10-8 塑料封装
10-9 印刷电路板
10-10 焊锡与锡膏
10-11 器件与电路板的接合
10-12 清洁与涂封
10-13 新型封装技术
参考文献
习 题
第十一章 材料分析技术在集成电路工艺中的应用
11-1 简介
11-2 材料分析技术
11-3 集成电路工艺模块的观察实例
11-4 各种IC产品的基本结构
11-5 结束语
参考文献
习 题
中英文索引
英中文索引
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