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简介
《现代电力电子器材及其应用》介绍了电力电子器件的基本结构、工作原理、特性参数及基本应用方法。内容包括半导体器件理论基础、二极管（包括普通整流二极管、肖特基二极管、普通快恢复二极管、FRED等）和晶体管、晶闸管及其派生器件、GTR和GTO、功率MOS（包括沟槽栅MOS和VDMOS同步整流）、SIT和SITH、IGBT（包括NPT-IGBT、PT-IGBT、Sense IGBT等）、IPM、MCT和器件散热问题。
《现代电力电子器材及其应用》的内容是电力电子技术中关于电力电子器件及其应用技术的重要部分，较全面地反映了电力电子器件自20世纪90年代以来的最新成就。这些内容是确定和解决各种具体的电力电子电路及装置疑难问题的不可替代的基础。《现代电力电子器材及其应用》的使用对象是工业电气自动化专业和电力电子专业的本科和专科学生，硕士研究生也可参考选用。
《现代电力电子器材及其应用》对具体从事开关电源、UPS、逆变焊机、逆变器等具体电力电子装置的开发研制、生产和维修人员也有较大的参考价值；也可作为应用、制造和推广销售电力电子器件的工程师的参考书。
目录
目录
第1章 半导体器件的理论基础
1.1 半导体基础
1.1.1 半导体与金属中的载流子
1.1.2 电子在金属和半导体中的能量分布
1.1.3 半导体导电的热敏性
1.2 PN结原理
1.2.1 平衡条件下的PN结
1.2.2 偏置条件下的PN结
1.2.3 PN结的穿通与击穿
1.2.4 PN结的热效应
1.2.5 PN结的电容
1.2.6 PN结的动态特性
参考文献
思考题
第2章 半导体二极管与晶体管
2.1 半导体二极管
2.1.1 分段线性模型
2.1.2 PN结功率二极管
2.1.3 FRED(Fast Recovery Epitaxial Diode)
2.1.4 稳压二极管
2.1.5 肖特基势垒二极管
2.1.6 碳化硅肖特基势垒二极管
2.2 双极晶体管(BJT)
2.2.1 双极晶体管的基本结构
2.2.2 双极晶体管的基本工作原理
2.2.3 双极晶体管的放大作用
2.2.4 双极晶体管的静态工作特性
2.2.5 双极晶体管的特性参数
2.3 场效应晶体管(FET)
2.3.1 结型场效应晶体管(JFET)
2.3.2 绝缘栅场效应晶体管(MOSFET)
参考文献
思考题
第3章 晶闸管
3.1 晶闸管的工作原理与特性
3.1.1 晶闸管的基本结构和基本特性
3.1.2 晶闸管的基本工作原理
3.1.3 晶闸管的静态特性与参数
3.1.4 晶闸管的动态特性与参数
3.1.5 晶闸管特性参数表
3.2 特种用途晶闸管
3.2.1 快速晶闸管(FST)
3.2.2 逆导晶闸管(RCT)
3.2.3 双向晶闸管(TRIAC)
3.2.4 光控晶闸管(LTT)
3.3 晶闸管应用基础
3.3.1 晶闸管的串并联应用
3.3.2 晶闸管的保护方式
参考文献
思考题
第4章 自关断双极器件
4.1 巨型双极晶体管(GTR)
4.1.1 GTR的结构
4.1.2 GTR的工作特性
4.1.3 GTR的击穿特性与安全工作区
4.2 门极可关断晶闸管(GTO)
4.2.1 GTO的基本结构和工作原理
4.2.2 GTO的基本特性及特性参数
4.2.3 GTO的失效与保护
参考文献
思考题
第5章 功率场控器件
5.1 功率MOSFET
5.1.1 功率MOSFET的结构
5.1.2 功率MOSFET的工作特性
5.1.3 功率MOSFET的可靠性问题
5.1.4 功率MOSFET的应用基础
5.2 IGBT、MCT和IPM
5.2.1 IGBT的基本结构和工作原理
5.2.2 IGBT的工作特性
5.2.3 MCT
5.2.4 智能功率模块IPM(Intelligent Power Module)
5.3 SIT和SITH
5.3.1 SIT和SITH的基本结构
5.3.2 SIT的工作原理与特性
5.3.3 SITH的工作原理和特性
5.3.4 SIT和SITH的基本使用方法
参考文献
思考题
第6章 电力电子器件的散热
6.1 稳态热阻与瞬态热阻抗
6.1.1 稳态热阻
6.1.2 瞬态热阻抗
6.2 耗散功率与结温
6.2.1 结温
6.2.2 耗散功率
6.3 散热器设计
6.3.1 整流二极管和晶闸管的散热器设计
6.3.2 双极晶体管的散热器设计
6.3.3 功率MOSFET的散热器设计
参考文献
思考题
附录1 1956年诺贝尔物理奖——晶体管的发明经过及电力电子器件的发展
附录2 引人注目的新型IGBT：NPT-IGBT
)
第1章 半导体器件的理论基础
1.1 半导体基础
1.1.1 半导体与金属中的载流子
1.1.2 电子在金属和半导体中的能量分布
1.1.3 半导体导电的热敏性
1.2 PN结原理
1.2.1 平衡条件下的PN结
1.2.2 偏置条件下的PN结
1.2.3 PN结的穿通与击穿
1.2.4 PN结的热效应
1.2.5 PN结的电容
1.2.6 PN结的动态特性
参考文献
思考题
第2章 半导体二极管与晶体管
2.1 半导体二极管
2.1.1 分段线性模型
2.1.2 PN结功率二极管
2.1.3 FRED(Fast Recovery Epitaxial Diode)
2.1.4 稳压二极管
2.1.5 肖特基势垒二极管
2.1.6 碳化硅肖特基势垒二极管
2.2 双极晶体管(BJT)
2.2.1 双极晶体管的基本结构
2.2.2 双极晶体管的基本工作原理
2.2.3 双极晶体管的放大作用
2.2.4 双极晶体管的静态工作特性
2.2.5 双极晶体管的特性参数
2.3 场效应晶体管(FET)
2.3.1 结型场效应晶体管(JFET)
2.3.2 绝缘栅场效应晶体管(MOSFET)
参考文献
思考题
第3章 晶闸管
3.1 晶闸管的工作原理与特性
3.1.1 晶闸管的基本结构和基本特性
3.1.2 晶闸管的基本工作原理
3.1.3 晶闸管的静态特性与参数
3.1.4 晶闸管的动态特性与参数
3.1.5 晶闸管特性参数表
3.2 特种用途晶闸管
3.2.1 快速晶闸管(FST)
3.2.2 逆导晶闸管(RCT)
3.2.3 双向晶闸管(TRIAC)
3.2.4 光控晶闸管(LTT)
3.3 晶闸管应用基础
3.3.1 晶闸管的串并联应用
3.3.2 晶闸管的保护方式
参考文献
思考题
第4章 自关断双极器件
4.1 巨型双极晶体管(GTR)
4.1.1 GTR的结构
4.1.2 GTR的工作特性
4.1.3 GTR的击穿特性与安全工作区
4.2 门极可关断晶闸管(GTO)
4.2.1 GTO的基本结构和工作原理
4.2.2 GTO的基本特性及特性参数
4.2.3 GTO的失效与保护
参考文献
思考题
第5章 功率场控器件
5.1 功率MOSFET
5.1.1 功率MOSFET的结构
5.1.2 功率MOSFET的工作特性
5.1.3 功率MOSFET的可靠性问题
5.1.4 功率MOSFET的应用基础
5.2 IGBT、MCT和IPM
5.2.1 IGBT的基本结构和工作原理
5.2.2 IGBT的工作特性
5.2.3 MCT
5.2.4 智能功率模块IPM(Intelligent Power Module)
5.3 SIT和SITH
5.3.1 SIT和SITH的基本结构
5.3.2 SIT的工作原理与特性
5.3.3 SITH的工作原理和特性
5.3.4 SIT和SITH的基本使用方法
参考文献
思考题
第6章 电力电子器件的散热
6.1 稳态热阻与瞬态热阻抗
6.1.1 稳态热阻
6.1.2 瞬态热阻抗
6.2 耗散功率与结温
6.2.1 结温
6.2.2 耗散功率
6.3 散热器设计
6.3.1 整流二极管和晶闸管的散热器设计
6.3.2 双极晶体管的散热器设计
6.3.3 功率MOSFET的散热器设计
参考文献
思考题
附录1 1956年诺贝尔物理奖——晶体管的发明经过及电力电子器件的发展
附录2 引人注目的新型IGBT：NPT-IGBT
)
Modern Power Electronic Devices and its Application
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