半导体硅材料基础

第1章  概论
  1.1  硅材料工业的发展
  1.2  半导体市场及发展
  1.3  中国新建、扩建多晶硅厂应注意的问题
  本章小结
  习题
第2章  半导体材料的基本性质
  2.1  半导体材料的分类及性质
  2.2  硅的物理化学性质
  2.3  硅材料的纯度及多晶硅标准
  本章小结
  习题
第3章  晶体几何学基础
  3.1  晶体结构
  3.2  晶向指数
  3.3  晶面指数
  3.4  立方晶体
  3.5  金刚石和硅晶体结构
  3.6  倒格子
  本章小结
  习题
第4章  晶体缺陷
  4.1  点缺陷
  4.2  线缺陷
  4.3  面缺陷
  4.4  体缺陷
  本章小结
  习题
第5章  能带理论基础
  5.1  能带理论的引入
  5.2  半导体中的载流子
  5.3  杂质能级
  5.4  缺陷能级
  5.5  直接能隙与间接能隙
  5.6  热平衡下的载流子
  本章小结
  习题
第6章  p-n结
  6.1  p-n结的形成
  6.2  p-n结的制备
  6.3  p-n结的能带结构
  6.4  p-n结的特性
  本章小结
  习题
第7章  金属-半导体接触和MIS结构
  7.1  金属-半导体接触
  7.2  欧姆接触
  7.3  金属-绝缘层-半导体结构（MIS）
  本章小结
  习题
第8章  多晶硅材料的制取
  8.1  冶金级硅材料的制取
  8.2  高纯多晶硅的制取
  8.3  太阳能级多晶硅的制取
  本章小结
  习题
第9章  单晶硅的制备
  9.1  结晶学基础
  9.2  晶核的形成
  9.3  区熔法
  9.4  直拉法
  9.5  杂质分凝和氧污染
  9.6  直拉硅中的碳
  9.7  直拉硅中的金属杂质
  9.8  磁拉法
  9.9  CCz法
  本章小结
  习题
第10章  其他形态的硅材料
  10.1  铸造多晶硅
  10.2  带状硅材料
  10.3  非晶硅薄膜
  10.4  多晶硅薄膜
  本章小结
  习题
第11章  化合物半导体材料
  11.1  化合物半导体材料特性
  11.2  砷化镓（GaAs）
  本章小结
  习题
第12章  硅材料的加工
  12.1  切去头尾
  12.2  外径滚磨
  12.3  磨定位面（槽）
  12.4  切片
  12.5  倒角（或称圆边）
  12.6  研磨
  12.7  腐蚀
  12.8  抛光
  12.9  清洗
  本章小结
  习题
附录
  附录A  常用物理量
  附录B  一些杂质元素在硅中的平衡分凝系数、溶解度
  附录C  真空中清洁表面的金属功函数与原子序数的关系
  附录D  主要半导体材料的二元相图
参考文献