简介
纳米晶是准零维纳米半导体材料，体现了对电子能带的控制作用。当纳米晶中电子被约束在小范围内，由于尺寸量子效应和介电限域效应的影响，纳米晶显示出独特的荧光特性。本书涉及材料的分子设计、纳米晶材料制备与性能研究、纳米晶电致发光器件制备与性能研究、超材料结构优化发光性能研究等内容。 张晓松、李岚编著的《未来的显示与照明(无机纳米晶电致发光器件从分子设计到结构优化)》采用基于密度泛函理论(DFT)的平面波超软赝势法，对多元纳米晶的能带结构、态密度和光学性质进行计算，实现针对发光性能材料的有效设计；制备了多种纳米晶电致发光器件，实现了对纳米晶电致发光光谱的调控；特别是提出了超材料结构优化方法，在纳米晶电致发光器件中引入三角晶格、四角晶格和六角晶格二维光子晶体结构超材料，实现了对光子能带的控制作用，提高了器件的发光性能；将纳米晶与光子晶体结合，以便实现同时控制电子和光子，为研制高效发光器件提供新的可能。
目录
第1章 绪论1.1 发光器件在照明领域的应用1.2 发光器件在显示领域的应用1.3 纳米晶电致发光器件有望成为发展的方向参考文献第2章 ZnS点缺陷的电子结构和光学性质计算与实验验证2.1 引言2.2 理论模型与计算方法2.3 ZnS及其存在本征缺陷时的电子结构分析2.4 本章小结参考文献第3章 Zn1-xCdxsS元混晶的电子结构及光学性质计算与实验验证.3.1 引言3.2 实验部分3.3 结果与讨论3.4 本章小结参考文献第4章 ZnS：Er电子结构和光学性质的第一性原理计算4.1 引言4.2 结构与参数设置4.3 结果与讨论4.4 本章小结参考文献第5章 ZnS纳米晶电致发光器件研究5.1 光谱可连续调控的ZnS纳米晶电致发光器件研究5.2 ZnS纳米晶／聚合物复合发光器件研究5.3 本章小结参考文献第6章 基于ZnS／SiO2纳米晶的EL发光器件及宽谱发射6.1 引言6.2 材料合成与器件制备6.3 器件发光性能研究6.4 本章小结参考文献第7章 ZnO纳米晶／SiO2复合器件的可调控电致发光光谱的研究7.1 引言7.2 实验7.3 结果与讨论7.4 本章小结参考文献第8章 全无机ZnO纳米棒／SiO2电致发光器件的研究8.1 引言8.2 实验8.3 结果与讨论8.4 本章小结参考文献第9章 PbS纳米晶电致发光器件研究9.1 PbS纳米晶制备与光谱调控研究9.2 基于PbS量子点LED的制备及特性表征9.3 本章小结参考文献第10章 二维光子晶体结构提高纳米晶电致发光效率研究10.1 三角空气圆孔结构的二维光子晶体对纳米晶电致发光效率影响10.2 四角空气圆孔结构的二维光子晶体对纳米晶电致发光效率影响10.3 六角空气圆孔结构的二维光子晶体对纳米晶电致发光效率影响10.4 本章小结参考文献
未来的显示与照明：无机纳米晶电致发光器件----从分子设计到结构优化
- 名称
- 类型
- 大小
光盘服务联系方式: 020-38250260 客服QQ：4006604884
云图客服：
用户发送的提问，这种方式就需要有位在线客服来回答用户的问题，这种 就属于对话式的,问题是这种提问是否需要用户登录才能提问
Video Player
×
Audio Player
×
pdf Player
×
