微电子器件工艺

微电子加工环境
环境污染对成品率的影响
超净空间环境
超纯水
超纯气体及化学试剂
衬底材料
IC发展与硅材料的关系
大直径单晶的制备
单晶材料中的原生缺陷与有害杂质
对单晶材料的基本要求及其完美化工艺
衬底制备
单晶棒的整形与定向
晶片加工
练习与思考
参考文献
固态扩散
固态扩散的基本模式
粒子流密度
扩散系数
硅中常用杂质的扩散系数
输运方程和低浓度下的杂质浓度分布
恒定高表面浓度扩散
载流子浓度与杂质浓度的关系
硅中高浓度磷扩散
氧化性气氛对扩散的影响
扩散的相互作用及横向扩散
工艺指南与系统
扩散方法与工艺
金扩散
砷化镓中杂质的扩散行为
砷化镓中的扩散技术
离子注入掺杂
注入离子的能量损失机构
注入深度
注入离子在非晶靶中的浓度分布
单晶靶和双层靶中的离子浓度分布
离子注入设备
注入工艺
注入损伤
退火特性
合金法
合金pn结的制作原理
合金条件的考虑
同质硅化学气相外延
外延的物理化学原理
生长动力学原理
反应器中的工作状态
外延掺杂
堆垛层错
原位气相腐蚀抛光
埋层图形漂移、畸变与塌边
杂质的固态对流扩散
自掺杂及外延层中杂质浓度分布
低压外延
气相硅外延系统与工艺
其它外延技术
选择外延与SOS外延
砷化镓外延
分子束外延
热生长二氧化硅膜
二氧化硅膜的结构和性质
热生长氧化膜的制备
热氧化生长动力学原理
二氧化硅的扩散掩蔽作用和硅的局部氧化
氧化层错
薄膜的化学气相淀积（CVD）
供微电子器件和工艺用CVD膜
常压化学气相淀积法
低压化学气相淀积法
等离子增强化学气相淀积法
光化学气相淀积法的基本原理
介质膜的其它制备方法
阳极氧化法
等离子体阳极氧化法
聚酰亚胺钝化膜
金属类薄膜的物理气相淀积
物理气相淀积的基本要素
物理气相淀积的实施
抗蚀剂和掩模材料
光致抗蚀剂
电子束抗蚀剂
X射线抗蚀剂
掩模材料
计算机辅助掩模图形发生
原图数据的产生
图形的发生
掩模版图形的形成
光学制版
电子束制版
晶片上抗蚀膜图形的形成
光学曝光
电子束曝光
X射线曝光
其它曝光方法
小结
晶片表面图形的形成
图形转换
湿法腐蚀
干法腐蚀
砷化镓的腐蚀
微细图形缺陷分析与控制
图形缺陷与成品率的关系
缺陷的种类与危害
缺陷的产生与控制
缺陷的检查与修补
工艺模拟的基础
一般介绍
杂质流输运方程
模型方程的数值计算方法
工艺模型
离子注入模型
氧化模型
扩散模型
外延模型
腐蚀与淀积模型
光刻模型
多晶硅淀积模型
氮化硅氧化模型
电学参数
SUPREM工艺模拟软件简介
SUPREMⅡ简介
SUPREMⅢ简介
微电子测试图形
测试图形的作用与布局
几种常见的测试图形
微电子工艺评价
工艺评价
在线监测
欧姆接触
欧姆接触的基本原理
形成欧姆接触的基本方法
布线技术
金属化方法
布线工艺
键合
芯片分割
键合引线材料
封装
金属封装
塑料封装
陶瓷封装
表面安装技术
基板材料
安装元件
表面安装方法
MOS型集成工艺
CMOS工艺设计
n-MOS工艺设计
双极型集成工艺设计
场介质隔离TTL工艺
STTL工艺设计
砷化镓集成电路工艺
工艺流程设计
主要工艺参数选取