现代集成电路制造工艺原理

　　绪论
　　
　　第1章 硅材料及衬底制备
　　 §1．1半导体材料的特征与属性
　　 §1．2半导体材料硅的结构特征
　　 §1．3半导体单晶制备过程中的晶体缺陷
　　 §1．4集成电路技术的发展和硅材料的关系
　　 §1．5关于半导体硅材料及硅衬底晶片的制备
　　 §1．6半导体硅材料的提纯技术
　　 1．6．1精馏提纯四氯化硅技术及其提纯装置
　　 1．6．2精馏提纯四氯化硅的基本原理
　　 §1．7直拉法生长硅单晶
　　 §1．8硅单晶的各向异性特征在管芯制造中的应用
　　 小结
　　 习题与解答
　　 参考文献
　　
　　第2章 外延生长工艺原理
　　 §2．1关于外延生长技术
　　 §2．2外延生长工艺方法概论
　　 2．2．1典型的水平反应器硅气相外延生长系统简介
　　 2．2．2硅化学气相淀积外延生长反应过程的一般描述
　　 §2．3常规硅气相外延生长过程的动力学原理
　　 §2．4常规硅气相外延生长过程的结晶学原理
　　 §2．5关于气相外延生长的工艺环境和工艺条件
　　 2．5．1外延生长过程中的掺杂
　　 2．5．2 外延生长速率与反应温度的关系
　　 2．5．3外延生长层内的杂质分布
　　 2．5．4外延生长缺陷
　　 2．5．5外延生长之前的氯化氢气相抛光
　　 2．5．6典型的外延生长工艺流程
　　 2．5．7工业化外延工序的质量控制
　　 §2．6发生在硅气相外延生长过程中的二级效应
　　 2．6．1外延生长过程中基片衬底杂质的再分布效应
　　 2．6．2外延生长过程中掺入杂质的再分布
　　 小 结
　　 习题与解答
　　 参考文献
　　
　　第3章 氧化介质薄膜生长
　　 §3．1氧化硅介质膜的基本结构
　　 §3．2二氧化硅介质膜的主要性质
　　 §3．3氧化硅介质膜影响杂质迁移行为的内在机理
　　 §3．4氧化硅介质膜的热生长动力学原理
　　 §3．5典型热生长氧化介质膜的常规生长模式
　　 小结
　　 习题与解答
　　 参考文献
　　
　　第4章 半导体的高温掺杂
　　
　　 §4．1固体中的热扩散现象及扩散方程
　　 §4．2常规高温热扩散的数学描述
　　 §4．3常规热扩散工艺简介
　　 §4．4实际扩散行为与理论分布的差异
　　 §4．5扩散行为的仿真及影响扩散行为的效应
　　 §4．6深亚微米工艺仿真系统所设置的小尺寸效应模型
　　 小结
　　 习题与解答
　　 参考文献
　　
　　第5章 离子注入低温掺杂
　　 §5．1离子注入掺杂技术的特点
　　 §5．2关于离子注人技术的理论描述
　　 §5．3关于离子注入损伤
　　 §5．4离子注入退火
　　 §5．5离子注入设备
　　 §5．6离子注入的工艺实现
　　 小结
　　 习题与解答
　　 参考文献
　　
　　第6章 薄膜气相淀积工艺
　　 §6．1常用的几种化学气相淀积方法
　　 6．1．1常压化学气相淀积(APCVD)
　　 6．1．2低压化学气相淀积(LPCVD)
　　 6．1．3等离子体增强化学气相淀积(PECVD)
　　 §6．2 晶圆CVD加工需求最多的几种介质薄膜
　　 6．2．1二氧化硅(Si02)介质薄膜
　　 6．2．2多晶硅(POS)介质
　　 6．2．3氮化硅(Si3N4)介质薄膜
　　 §6．3化学气相淀积(CVD)的安全性
　　 小结
　　 习题与解答
　　 参考文献
　　
　　第7章 图形光刻工艺原理
　　 §7．1关于光致抗蚀剂
　　 §7．2常规光刻工艺原理
　　 7．2．1涂胶
　　 7．2．2前烘
　　 7．2．3曝光
　　 7．2．4显衫
　　 7．2．5坚膜
　　 7．2．6腐蚀
　　 7．2．7去胶
　　 小结
　　 习题与解答
　　 参考文献
　　
　　第8章 掩模制备工艺原理
　　
　　 §8．1集成电路掩模版的制备
　　 §8．2光刻掩模版设计和制备的基本过程
　　 8．2．1原图绘制
　　 8．2．2初缩
　　 8．2．3精缩兼分步重复
　　 §8．3当代计算机辅助掩模制造技术
　　 8．3．1原图数据处理系统
　　 8．3．2版图修改
　　 8．3．3版图验证
　　 8．3．4版图尺寸修正
　　 小结
　　 习题与解答
　　 参考文献
　　
　　第9章 超大规模集成工艺
　　 §9．1当代微电子技术的飞速发展与技术进步
　　 §9．2当代超深亚微米级层次的技术特征
　　 §9．3超深亚微米(VDSM)层次下的小尺寸效应
　　 9．3．1热载流子退化效应
　　 9．3．2短沟道效应
　　 9．3．3漏、源穿通效应
　　 ……