Properties of Strained and Relaxed Silicon Germanium
副标题：无
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ISBN：9787118028836
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简介
继si之后，sige／si是研究得最多、最深入的一类si基异质材料。应变的和弛豫的sige已经成为电子集成电路和光电子集成电路的非常重要的材料。
《硅锗的性质》由31位来自德国、美国、加拿大、英国、日本等国si基异质结构和应用领域的教授们撰稿，是一本论述sige／si知识的权威性专著。《硅锗的性质》共七章，第一章综述了sige应变层系统的一些总体性质；第二章至第六章给出了应变的和弛豫的sige合金的具体材料性质，论述了sige材料的结晶学、异质结构、热学性质、力学和晶格振动、能带结构、输运特性、磁学特性、表面性质、光吸收和光谱等方面的内容；第七章介绍了一些代表性的sige／si器件的结构和特性。
《硅锗的性质》是半导体领域的学者和工程技术人员的必读书，适于材料专业和半导体专业的科技人员、研究生、博士生阅读，还可供物理领域中的广大科技人员作为手册进行查阅。
目录
目录
第一章 引言
1.1 应力引起的外延薄膜的形貌不稳定性和成岛
1.2 SiGe/Si系统中失配位错网络的平衡理论
1.3 SiGe/Si系统中亚稳应变层的结构
第二章 结构特性
2.1 SiGe合金系的晶体结构、晶格常数和固—液相图
2.2 SiGe合金的有序性
2.3 Si/Ge界面：结构、能量和互扩散
第三章 热学、力学和晶格振动学性质
3.1 SiGe的弹性常数
3.2 SiGe的热力学性质
3.3 SiGe中的光学声子、声学声子和Raman光谱
第四章 能带结构
4.1 SiGe的能隙和能带结构及它们同温度的依赖关系
4.2 应变对SiGe价带结构的影响
4.3 应变对SiGe导带结构的影响
4.4 SiGe中的有效质量
4.5 SiGe异质结和带偏移
4.6 SiGe的光谱
4.7 弛豫的SiGe合金的光学函数及应变对光学函数的影响
第五章 输运特性
5.1 SiGe/Si系中的电子和空穴的迁移率
5.2 Si/SiGe异质结的注入
5.3 SiGe/Si结构中的磁输运特性
第六章 表面性质
6.1 SiGe（100）表面的再构和键合构形
6.2 Si和Ge（001）面生长和退火中的原子台阶
6.3 Ge和掺杂原子在SiGe层生长过程中的分凝
第七章 Si基器件的结构和重要数据集锦
7.1 Si/SiGe/Si异质结双极型晶体管
7.2 n-MODFET用的应变调节方法：无应变SiGe、应变Si（1.5%）
7.3 SiGe p-MOSFET:SiGe应变（2.0%）
7.4 超薄SiGe超晶格应变对称性
QW
第一章 引言
1.1 应力引起的外延薄膜的形貌不稳定性和成岛
1.2 SiGe/Si系统中失配位错网络的平衡理论
1.3 SiGe/Si系统中亚稳应变层的结构
第二章 结构特性
2.1 SiGe合金系的晶体结构、晶格常数和固—液相图
2.2 SiGe合金的有序性
2.3 Si/Ge界面：结构、能量和互扩散
第三章 热学、力学和晶格振动学性质
3.1 SiGe的弹性常数
3.2 SiGe的热力学性质
3.3 SiGe中的光学声子、声学声子和Raman光谱
第四章 能带结构
4.1 SiGe的能隙和能带结构及它们同温度的依赖关系
4.2 应变对SiGe价带结构的影响
4.3 应变对SiGe导带结构的影响
4.4 SiGe中的有效质量
4.5 SiGe异质结和带偏移
4.6 SiGe的光谱
4.7 弛豫的SiGe合金的光学函数及应变对光学函数的影响
第五章 输运特性
5.1 SiGe/Si系中的电子和空穴的迁移率
5.2 Si/SiGe异质结的注入
5.3 SiGe/Si结构中的磁输运特性
第六章 表面性质
6.1 SiGe（100）表面的再构和键合构形
6.2 Si和Ge（001）面生长和退火中的原子台阶
6.3 Ge和掺杂原子在SiGe层生长过程中的分凝
第七章 Si基器件的结构和重要数据集锦
7.1 Si/SiGe/Si异质结双极型晶体管
7.2 n-MODFET用的应变调节方法：无应变SiGe、应变Si（1.5%）
7.3 SiGe p-MOSFET:SiGe应变（2.0%）
7.4 超薄SiGe超晶格应变对称性
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