氧化物与化合物半导体基础

目录
1—1—6 ABO3型复合金属氧化物的晶体结构
5—11—2 陶瓷高温超导材料的晶体结构和电子结构
5—11—3 陶瓷高温超导材料的制备研究
5—11—4 陶瓷高温超导材料的现况和问题
主要参考文献
第二篇 化合物半导体基础
第六章 化合物半导体的能带结构和缺陷结构
6—1 化合物半导体的能带结构
6—1—1 引言
6—1—2 化合物半导体的能带结构
6—1—3 混溶晶体——固溶体的能带
1—1—7 ReO3型金属氧化物的晶体结构
6—2 化合物半导体中的杂质和缺陷结构
6—2—1 Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体中的杂质
6—2—2 Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体中的杂质
6—2—3 化合物半导体中的缺陷
6—3 化合物半导体中的点缺陷K—V图
6—3—1 引言
6—3—2 CdTe中的点缺陷平衡
主要参考文献
第七章 典型化合物半导体的缺陷结构及电子输运性质裁
7—1 化合物半导体的特点及其应用
1—2 金属氧化物的能带
7—2 化合物半导体的散射机制和输运性质
7—2—1 散射机制
7—2—2 输运性质
7—3 各种重要化合物半导体的输运性质和缺陷结构
7—3—1 重要的Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体
7—3—2 Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体和ZnO
7—3—3 Ⅳ—Ⅵ族化合物半导体
7—3—4 混溶晶体
主要参考文献
附录一 测量金属氧化物半导体材料的高温电导率的四探针法
1—2—1 引言
1 高温电导率与氧分压关系的测定
2 电导率与温度关系的测量
附录二 电子输运现象的数值解法
1 用迭代法计算输运系数的计算机程序
2 用蒙多卡罗法计算热电子电导率和扩散系数的计算机程序
附录三 主要导电金属氧化物的室温电阻率
主要参考文献
1—2—2 八面体间隙中的d电子
1—2—3 过渡金属氧化物的能带难题
1—2—4 金属氧化物晶体的能带结构
1—2—5 实际金属氧化物的能带结构
主要参考文献
第二章 金属氧化物的点缺陷理论基础
第一篇 金属氧化物半导体基础
2—1 金属氧化物晶体中的点缺陷
2—1—1 克勒格尔—温克点缺陷符号
2—1—2 固有原子缺陷
2—1—3 金属氧化物中的杂质
2—1—4 原子点缺陷的施主或受主作用及它们的能级位置
2—1—5 金属氧化物晶体中的电子点缺陷
2—2 金属氧化物晶体的点缺陷理论基础
2—2—1 质量作用定律
2—2—2 描写点缺陷形成及转化过程的准化学反应式
2—2—3 质量作用定律的简单应用——MO型晶体和环境气氛间的平衡
第一章 金属氧化物的晶体结构和能带结构
2—2—4 只有金属子晶格中含有费伦克尔缺陷的MO型金属氧化物的平衡缺陷浓度
2—2—5 解点缺陷浓度联立方程组的布劳威尔（Brouwer）方法
2—3 固态点缺陷理论小结
主要参考文献
第三章 金属氧化物晶体中各种典型点缺陷结构的K—V图
3—1 纯金属氧化物MO的K—V图
3—1—1 费伦克尔缺陷全部电离时MO型金属氧化物的K—V图
3—1—2 肖脱基缺陷全部电离时MO型金属氧化物的K—V图
3—1—3 肖脱基缺陷部分电离时MO型金属氧化物的K—V图
3—1—4 只有反结构缺陷的MO型金属氧化物的K—V图
1—1 金属氧化物的晶体结构
3—1—5 含有肖脱基和反结构缺陷和MO型金属氧化物的K—V图
3—2 含有杂质的MO型金属氧化物的K—V图
3—2—1 只有一种杂质的MO型金属氧化物的K—V图
3—2—2 含有两种类型杂质的MO型金属氧化物的K—V图
3—3 低温K—V图
3—3—1 只有氧空位的MO型晶体的低温载流子浓度
3—3—2 金属子晶格有费伦克尔缺陷的MO型晶体的低温K—V图
3—4 一个实际氧化物半导体材料的K—V图
3—5 点缺陷平衡浓度和温度的关系
主要参考文献
1—1—1 一些预备知识
第四章 非化学计量金属氧化物和点缺陷
4—1 非化学计量金属氧化物和原子点缺陷
4—2 非化学计量金属氧化物MO1+δ的δ与气氛分压的关系
4—3 复合缺陷和非化学计量金属氧化物
4—4 非化学计量金属氧化物实例
4—4—1 岩盐矿结构的MO型金属氧化物
4—4—2 金红石结构的MO2型金属氧化物
4—4—3 ReO3型结构的金属氧化物
4—4—4 钙钛矿型结构和类钙钛矿型结构的金属氧化物
4—5 点缺陷有序化和结构相变
1—1—2 MO型金属氧化物的典型晶体结构
主要参考文献
第五章 典型金属氧化物的缺陷结构和输运性质
5—1 金属氧化物材料中的输运现象
5—1—1 金属氧化物中的电子输运现象
5—1—2 金属氧化物中的离子输运现象
5—1—3 由输运现象得到缺陷结构的有用信息
5—2 氧化镁（MgO）及其固溶体
5—2—1 氧化镁
5—2—2 固溶体Co1-xMgxO
5—3 氧化镍（NiO）的输运性质和缺陷结构
1—1—3 MO2型金属氧化物的典型晶体结构
5—3—1 一般性质和输运机制
5—3—2 点缺陷结构和高温电导
5—3—3 杂质的影响
5—4 氧化铁的电性质与缺陷结构
5—4—1 相图和晶体结构
5—4—2 输运性质和缺陷结构
5—5 二氧化钛（TiO2）和二氧化锡（SnO2）的电性质和缺陷结构
5—5—1 能带结构
5—5—2 电子输运性质
5—5—3 缺陷结构
1—1—4 AB2O4型复合金属氧化物的晶体结构
5—5—4 作为气敏材料的SnO2
5—6 高电导金属氧化物ReO3和RuO2
5—6—1 三氧化铼ReO3
5—6—2 二氧化钌RuO2
5—7 α—Al2O3
5—8 钛酸钡（BaTiO3）和钛酸锶（SrTiO3）
5—8—1 电导和固有原子缺陷
5—8—2 杂质的影响
5—8—3 BaTiO3陶瓷的PTC效应
5—9 铁酸镧（LaFeO3）及其固溶体
1—1—5 M2O3型金属氧化物的晶体结构
5—9—1 LaFeO3
5—9—2 固溶体Lai-xSrxFeO3
5—10 V2O3，金属—绝缘体相变
5—10—1 晶体结构及电阻率
5—10—2 V2O3及其固溶体（V1-xMx）2O3的相图
5—10—3 V2O3的输运性质
5—10—4 V2O3的能带结构
5—10—5 V2O3的相变理论
5—11 金属氧化物陶瓷高温超导材料
5—11—1 陶瓷高温超导材料的发现
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