国内外半导体材料标准汇编

一、我国半导体材料标准
　1.基础标准
　　gb/t 8756-1988　锗晶体缺陷图谱
　　gb/t 13389-1992　掺硼掺磷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程
　　gb/t 14264-1993　半导体材料术语
　　gb/t 14844-1993　半导体材料牌号表示方法
　　gb/t 16595-1996　晶片通用网络规范
　　gb/t 16596-1996　确定晶片坐标系规范
ys/t 209-1994　硅材料原生缺陷图谱（原gbn 266-87）
　2.产品标准
　　gb/t 2881-1991　工业硅技术条件
　　gb/t 5238-1995 锗单晶
　　gb/t 101 18-1988　高纯镓
　　gb/t 1 1069-1989　高纯二氧化锗
　　gb/t 1 1070-1989　还原锗锭
　　gb/t 1 1071-1989　区熔锗锭
　　gb/t 1 1072-1989　锑化铟多晶、单晶及切割片
　　gb/t 1 1093-1989　液封直拉法砷化镓单晶及切割片
　　gb/t 1 1094-1989　水平法砷化镓单晶及切割片
　　gb/t 12962-1996　硅单晶
.　　gb/t 12963-1996　硅多晶
　　gb/t 12964-2003　硅单晶抛光片
　　gb/t 12965-1996　硅单晶切割片和研磨片
　　gb/t 14139-1993　硅外延片
　　gb/t 15713-1995　锗单晶片
ys/t 13-1991　高纯四氯化锗
ys/t 28-1992　硅片包装
ys/t 43-1992　高纯砷
ys/t 264-1994　高纯铟（原gb 8003-87）
ys/t 290-1994　霍尔器件和甘氏器件用砷化镓液相外延片（原gb 1 1095-89）
ys/t 300-1994　锗富集物（原zb h 31003-87）
　3.方法标准
　　gb/t 1550-1997　非本征半导体材料导电类型测试方法
　　gb/t 1551-1995　硅、锗单晶电阻率测定　直流两探针法
　　gb/t 1552-1995　硅、锗单晶电阻率测定　直排四探针法
　　gb/t 1553-1997　硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法
　　gb/t 1554-1995　硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法
　　gb/t 1555-1997　半导体单晶晶向测定方法
　　gb/t 1557-1989　硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法
　　gb/t 1558-1997　硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法
　　gb/t 4058-1995　硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法
　　gb/t 4059-1983　硅多晶气氛区熔磷检验方法
　　gb/t 4060-1983　硅多晶真空区熔基硼检验方法
　　gb/t 4061-1983　硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法
　　gb/t 4298-1984　半导体硅材料中杂质元素的活化分析方法
　　gb/t 4326-1984 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法
　　gb/t 5252-1985　锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法
　　gb/t 6616-1995　半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定非接触涡流法
　　gb/t 6617-1995　硅片电阻率测定扩展电阻探针法
　　gb/t 6618-1995　硅片厚度和总厚度变化测试方法
　　gb/t 6619-1995　硅片弯曲度测试方法
　　gb/t 6620-1995　硅片翘曲度非接触式测试方法
　　gb/t 6621-1995　硅抛光片表面平整度测试方法
　　gb/t 6624-1995　硅抛光片表面质量目测检验方法
　　gb/t 8757-1988　砷化镓中载流子浓度等离子共振测量方法
　　gb/t 8758-1988　砷化镓外延层厚度红外干涉测量方法
　　gb/t 8760-1988　砷化镓单晶位错密度的测量方法
　　gb/t 11068-1989 砷化镓外延层载流子浓度电容一电压测量方法
　　gb/t 11073-1989　硅片径向电阻率变化的测量方法
　　gb/t 13387-1992 电子材料晶片参考面长度测量方法
　　gb/t 13388-1992　硅片参考面结晶学取向x射线测量方法
　　gb/t 14140.1-1993　硅片直径测量方法 光学投影法
　　gb/t 14140.2-1993　硅片直径测量方法 千分尺法
　　gb/t 1414l-1993　硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定直排四探针法
　　gb/t 14142-1993　硅外延层晶体完整性检验方法腐蚀法
　　gb/t 14143-1993　300-900&m硅片间隙氧含量红外吸收测量方法
　　gb/t 14144-1993　硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法
　　gb/t 14145-1993　硅外延层堆垛层错密度测定干涉相衬显微镜法
　　gb/t 14146-1993　硅外延层载流子浓度测定汞探针电容一电压法
　　gb/t 14847-1993 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法
　　gb/t 14849.1-1993 工业硅化学分析方法　1，10一二氮杂菲分光光度法测定铁量
　　gb/t 14849.2-1993　工业硅化学分析方法　铬天青-s分光光度法测定铝量
　　gb/t 14849.3-1993　工业硅化学分析方法　钙量的测定
　　gb/t 15615-1995　硅片抗弯强度测试方法
二、semi标准