Physics of semiconductor devices
副标题：无
作 者：(美)施敏(S. M. Sze)，(美)伍国珏(Kwok K. Ng)著;耿莉，张瑞智译
分类号：
ISBN：9787560525969
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简介
《半导体器件物理》这本经典著作在半导体器件领域已经树立起了先进的学习和参考典范。此书的第3版保留了重要半导体器件的最为详尽的知识内容，并做了更新和重新组织，反映了当今器件在概念和性能等方面的巨大进展，它可以使读者快速地了解当今半导体物理和所有主要器件，如双极、场效应、微波、光子器件和传感器的性能特点。
本书专为研究生教材和参考所需设计，新版本包括：
以最新进展进行了全面更新；
包括了对三维MOSFET、MODFET、共振隧穿二极管、半导体传感器、量子级联激光器、单电子晶体管、实空间转移器件等新型器件的叙述；
对内容进行了重新组织和安排；
各章后面配备了习题；
重新高质量地制作了书中的所有插图。
《半导体器件物理》(第3版)为工程师、研究人员、科技工作者、高校师生提供了解当今应用中最为重要的半导体器件的基础知识，对预测未来器件性能和局限性提供了良好的基础。
目录
译者序
前言
导言
第1部分 半导体物理
第1章 半导体物理学和半导体性质概要
1.1 引言
1.2 晶体结构
1.3 能带和能隙
1.4 热平衡时的载流子浓度
1.5 载流子输运现象
1.6 声子、光学和热特性
1.7 异质结和纳米结构
1.8 基本方程和实例
第2部分 器件的基本构件
第2章 p-n结二极管
2.1 引言
2.2 耗尽区
2.3 电流-电压特性
2.4 结击穿
2.5 瞬变特性与噪声
2.6 端功能
2.7 异质结
第3章 金属-半导体接触
3.1 引言
3.2 势垒的形成
3.3 电流输运过程
3.4 势垒高度的测量
3.5 器件结构
3.6 欧姆接触
第4章 金属-绝缘体-半导体电容
4.1 引言
4.2 理想MIS电容
4.3 硅MOS电容
第3部分 晶体管
第5章 双极晶体管
5.1 引言
5.2 静态特性
5.3 微波特性
5.4 相关器件结构
5.5 异质结双极晶体管
第6章 MOS场效应晶体管
6.1 引言
6.2 器件的基本特性
6.3 非均匀掺杂和埋沟器件
6.4 器件按比例缩小和短沟道效应
6.5 MOSFET的结构
6.6 电路应用
6.7 非挥发存储器
6.8 单电子晶体管
第7章 JFET，MESFET和MODFET器件
7.1 引言
7.2 JFET和MODFET
7.3 MODFET
第4部分 负阻器件和功率器件
第8章 隧道器件
8.1 引言
8.2 隧道二极管
8.3 相关的隧道器件
8.4 共振遂穿二极管
第9章 碰撞电离雪崩渡越时间二极管
9.1 引言
9.2 静态特性
9.3 动态特性
9.4 功率和效率
9.5 噪声特性
9.6 器件设计和性能
9.7 BARITT二极管
9.8 TUNNETT二极管
第10章 转移电子器件和实空间转移器件
10.1 引言
10.2 转移电子器件
10.3 实空间转移器件
第11章 晶闸管和功率器件
11.1 引言
11.2 晶闸管的特性
11.3 晶闸管的变种
11.3 其它功率器件
第5部分 光学器件和传感器
第12章 发光二极管和半导体激光器
12.1 引言
12.2 辐射跃迁
12.3 发光二极管
12.4 激光器物理
12.5 激光器工作特性
12.6 特种激光器
第13章 光电探测器和太阳电池
13.1 引言
13.2 光电导
13.3 光电二极管
13.4 雪崩光电二极管
13.5 光电晶体管
13.6 电荷耦合器件(CCD)
13.7 金属-半导体-金属光电探测器
13.8 量子阱红外光电探测器
13.9 太阳电池
第14章 传感器
14.1 引言
14.2 温度传感器
14.3 机械传感器
14.4 磁敏传感器
14.5 化学传感器
附录
A.符号表
B.国际单位制
C.单位词头
D.希腊字母表
E.物理常数
F.重要半导体的特性
G.Si和GaAs的特性
H.SiO2和Si3N4的特性
前言
导言
第1部分 半导体物理
第1章 半导体物理学和半导体性质概要
1.1 引言
1.2 晶体结构
1.3 能带和能隙
1.4 热平衡时的载流子浓度
1.5 载流子输运现象
1.6 声子、光学和热特性
1.7 异质结和纳米结构
1.8 基本方程和实例
第2部分 器件的基本构件
第2章 p-n结二极管
2.1 引言
2.2 耗尽区
2.3 电流-电压特性
2.4 结击穿
2.5 瞬变特性与噪声
2.6 端功能
2.7 异质结
第3章 金属-半导体接触
3.1 引言
3.2 势垒的形成
3.3 电流输运过程
3.4 势垒高度的测量
3.5 器件结构
3.6 欧姆接触
第4章 金属-绝缘体-半导体电容
4.1 引言
4.2 理想MIS电容
4.3 硅MOS电容
第3部分 晶体管
第5章 双极晶体管
5.1 引言
5.2 静态特性
5.3 微波特性
5.4 相关器件结构
5.5 异质结双极晶体管
第6章 MOS场效应晶体管
6.1 引言
6.2 器件的基本特性
6.3 非均匀掺杂和埋沟器件
6.4 器件按比例缩小和短沟道效应
6.5 MOSFET的结构
6.6 电路应用
6.7 非挥发存储器
6.8 单电子晶体管
第7章 JFET，MESFET和MODFET器件
7.1 引言
7.2 JFET和MODFET
7.3 MODFET
第4部分 负阻器件和功率器件
第8章 隧道器件
8.1 引言
8.2 隧道二极管
8.3 相关的隧道器件
8.4 共振遂穿二极管
第9章 碰撞电离雪崩渡越时间二极管
9.1 引言
9.2 静态特性
9.3 动态特性
9.4 功率和效率
9.5 噪声特性
9.6 器件设计和性能
9.7 BARITT二极管
9.8 TUNNETT二极管
第10章 转移电子器件和实空间转移器件
10.1 引言
10.2 转移电子器件
10.3 实空间转移器件
第11章 晶闸管和功率器件
11.1 引言
11.2 晶闸管的特性
11.3 晶闸管的变种
11.3 其它功率器件
第5部分 光学器件和传感器
第12章 发光二极管和半导体激光器
12.1 引言
12.2 辐射跃迁
12.3 发光二极管
12.4 激光器物理
12.5 激光器工作特性
12.6 特种激光器
第13章 光电探测器和太阳电池
13.1 引言
13.2 光电导
13.3 光电二极管
13.4 雪崩光电二极管
13.5 光电晶体管
13.6 电荷耦合器件(CCD)
13.7 金属-半导体-金属光电探测器
13.8 量子阱红外光电探测器
13.9 太阳电池
第14章 传感器
14.1 引言
14.2 温度传感器
14.3 机械传感器
14.4 磁敏传感器
14.5 化学传感器
附录
A.符号表
B.国际单位制
C.单位词头
D.希腊字母表
E.物理常数
F.重要半导体的特性
G.Si和GaAs的特性
H.SiO2和Si3N4的特性
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