微电子器件与IC设计

副标题:无

作   者:刘刚,何笑明,陈涛编著

分类号:

ISBN:9787030149169

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简介

   本书为教育部"电子科学与技术"教学指导委员会推荐用书。    本书主要讲述微电子器件及集成电路设计的基本理论。主要内容有:电子器件的物理基础、PN结、双极晶体管、结型场效应晶体管、MOSFET、异质结器件、双极型集成电路、MOS集成电路。    本书可作为高等院校电子、通信、计算机、自动控制、光电子等专业本科生的教材,也可供微电子科学、电子器件、集成电路等领域的工程技术人员参考。   

目录

第1章 半导体物理基础

1.1 半导体的形成与能带

1.2 本征半导体

1.3 杂质半导体

1.4 半导体的导电性

1.5 非平衡载流子

思考题1

习题1

第2章 pn结

2.1 平衡pn结能带图及空间电荷区

2.2 理想pn结的伏安特性

2.3 实际pn结的特性

2.4 pn结的击穿

2.5 pn结的电容

思考题2

习题2

第3章 双极晶体管(1)

3.1 双极晶体管的结构

3.2 双极晶体管的放大原理

3.3 双极晶体管电流增益

.3.4 反向直流参数及基极电阻

3.5 双极晶体管直流伏安特性

思考题3

习题3

第4章 双极晶体管(2)

4.1 交流小信号电流增益

4.2 双极晶体管频率特性参数

4.3 双极晶体管的开关原理

4.4 双极晶体管的开关时间

4.5 双极晶体管大电流特性

4.6 晶体管耗散功率及安全工作区

思考题4

习题4

第5章 结型场效应晶体管

5.1 jfet结构与工作原理

5.2 mesfet

5.3 jfet直流特性

5.4 直流特性的非理想效应

5.5 jfet交流小信号特性

思考题5

习题5

第6章 mosfet

6.1 mos结构及其特性

6.2 mosfet结构及工作原理

6.3 mosfet阈值电压

6.4 mosfet直流特性

6.5 mosfet小信号特性

6.6 mosfet开关特性

6.7 短沟道效应及按比例缩小规则

思考题6

习题6

第7章 异质结器件

7.1 异质结

7.2 hbt的工作原理与特性

7.3 hbt的工艺、结构与设计

7.4 hemt的原理与特性

7.5 hemt的结构和设计

思考题7

习题7

第8章 双极型集成电路

8.1 集成电路简介

8.2 双极型集成电路中的元件结构与基本制造工艺

8.3 双极型数字集成电路中的门电路

8.4 双极型模拟集成电路中的基本单元电路

8.5 双极型集成电路的版图设计

思考题8

习题8

第9章 mos集成电路

9.1 mos集成电路简介

9.2 mos集成电路中的基本单元电路

9.3 半导体集成电路设计方法和步骤

9.4 mosic单元电路的版图设计

思考题9

习题9

参考文献

附录


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微电子器件与IC设计
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