Physics of semiconductor devices

作者：  (美)施敏(S. M. Sze)，(美)伍国珏(Kwok K. Ng)著;耿莉，张瑞智译

出版社：西安交通大学出版社,2008

简介：　　《半导体器件物理》这本经典著作在半导体器件领域已经树立起了先进的学习和参考典范。此书的第3版保留了重要半导体器件的最为详尽的知识内容，并做了更新和重新组织，反映了当今器件在概念和性能等方面的巨大进展，它可以使读者快速地了解当今半导体物理和所有主要器件，如双极、场效应、微波、光子器件和传感器的性能特点。 　　 本书专为研究生教材和参考所需设计，新版本包括： 　　 以最新进展进行了全面更新； 　　 包括了对三维MOSFET、MODFET、共振隧穿二极管、半导体传感器、量子级联激光器、单电子晶体管、实空间转移器件等新型器件的叙述； 　　 对内容进行了重新组织和安排； 　　 各章后面配备了习题； 　　 重新高质量地制作了书中的所有插图。 　　 《半导体器件物理》(第3版)为工程师、研究人员、科技工作者、高校师生提供了解当今应用中最为重要的半导体器件的基础知识，对预测未来器件性能和局限性提供了良好的基础。