现代集成电路制造工艺原理
作者： 李惠军编著
出版社：山东大学出版社,2007
简介：本书围绕当代集成电路制造的基础工艺，重点介绍所涉及的基本原理，
并就当前集成电路芯片制造技术的最新发展作了较为详尽的阐述。本书可作
为普通高校或职业技术院校理、工科本(专)科电子科学技术(一级学科)下微
电子学与固体电子学及 微电子技术方向、集成电路设计及集成系统或微电
子技术专业的专业课教材、微电子相关专业的研究生选修课教材，亦可作为
集成电路芯片制造企业工程技术人员参考 书。
本书共分为十一章，第一章至第八章以叙述基本工艺原理为主，主要包
括：硅材料及衬底制备；外延生长工艺原理；氧化介质薄膜生长；半导体的
高温掺杂；离子注入低温掺杂；薄膜气相淀积工艺；图形光刻工艺原理；掩
模制备工艺原理。第九章收入了当代诸多超大规模集成制造工艺的相关内容
，并以当代超大规模集成电路所具有的小尺寸特征为切入点，围绕抑制小尺
寸效应的现代工艺技术，介绍了诸多较为成熟的现代工艺技术模块(或称之
为工艺组合)。系统地将这些知识点纳入超大规模集成电路制造技术的范畴
，对提高现代集成电路制造技术的教学质量有着积极的意义。第十章介绍了
集成电路芯片产业的生产管理、技术管理和质量管理等方面的相关知识，力
图让读者对集成电路芯片产业的特征有一个整体的概念。第十一章对现代集
成电路制造技术术语进行了详解，以此为知识点，加强学生对这门课程的理
解。
本书内容丰富，在编写中力求做到文字简练、图文并茂、注重实际，以
较好地反映当代集成电路制造技术的现状。书中还包含有作者多年来从事该
技术领域的教学和研究所取得的诸多成果。例如：对半导体硅材料和硅外延
生长缺陷的研究；硅外延生长原理及结晶体的扩展行为及显微形貌等
相关研究成果，在国内均为首次发表。
